二硫化鉭超導薄膜研制成功

　　本報訊近日，中科院上海硅酸鹽研究所與中科院上海微系統所、北京大學等合作，通過化學剝離成單層二硫化鉭納米片并將納米片抽濾自組裝而重新堆疊成二硫化鉭薄膜。該薄膜打破了原母體的晶體結構，形成了豐富的均質界面，并獲得比母體材料更高的超導轉變溫度和更大的上臨界場。

　　據了解， 目前超導材料已應用于包括超導電線、 醫院使用的超導核磁共振成像儀以及磁懸浮列車等領域。 但由于目前超導材料的最高超導溫度在零下100℃以下，成本仍然較高，難以大面積推廣。因此，追求更高溫甚至室溫超導具有極高的實際價值。

　　上海硅酸鹽所碩士研究生潘杰表示，目前由于缺乏理論支持，高溫超導的探索步履維艱。 傳的以弱電—聲相互作用為前提BCS理論難以解釋40K以上導的機理，因此需要提出更完備更深刻的理論來解釋高溫超導象。 界面超導的發現是近幾年導領域的一個新亮點。然而，界調控六方相二硫化鉭（2H-TaS的電子結構卻未見報道。

　　為在二硫化鉭中構筑豐富界面， 研究團隊通過采用堿金離子插層剝離的方法獲得單層硫化鉭納米片， 并得到重堆疊二硫化鉭薄膜。 他們進一步研發現，重堆疊后的二硫化鉭薄膜因層與層之間存在扭曲， 界面電子的離域化程度增強， 導致米面附近的電子態密度增加，導特性增強。 （仲科）

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