預計2013年將為高性能存儲集成芯片的轉折點

愛達荷州博伊西和韓國首爾 2013-04-03中國商業電訊－－100多名開發商和應用商之間的合作將向眾多行業和消費群體提供， 新的突破性內存計算解決方案

混合內存立方體聯盟HMCC中的100多位開發商和應用商成員今日宣布他們已就混合內存立方體的全球標準達成共識，該標準將提供備受期待的、突破性內存計算解決方案。該最終規范的制定僅花費了17個月的時間，其對眾多行業，從網絡和高性能計算到工業和其他行業的設計者標志著新的轉折點，使他們可以開始在未來的產品中采用混合存儲立方體（HMC）技術進行設計。

HMC的一項重大突破是利用期待已久的先進技術將高性能邏輯與最先進的 DRAM 相結合。由于如此迅速地達到HMC 的第一個里程碑，該聯盟成員已決定將延長其協作力度以盡快達成關于HMC 下一代接口標準的協議。

“我們與主要內存公司和本行業其他許多公司之間的共識將會大大促進這種有前途的技術的推出”， Samsung Semiconductor, Inc.公司內存規劃和產品營銷副總裁Jim Elliott說。“由于HMCC的工作，IT系統設計師和制造商將可以獲得優于目前所提供的其他內存選項的新型綠色內存解決方案”。

“這一里程碑標志著內存壁壘的拆除”，Micron公司DRAM營銷副總裁Robert Feurle 說。“該行業協議將促進HMC技術盡快地得到應用，我們相信這將會徹底地改善計算系統，并最終改善消費者的應用程序”。

“目前在雷達上,HMC是一個非常特殊的產品”，SK hynix Inc公司DRAM 產品規劃和推廣集團副總裁JH Oh說。“HMC 使內存的性能提高到一個嶄新的水平，這些內存將提供呈指數增長的性能和效率，這將重新定義內存的未來”。

按照設想，HMC 在性能、封裝和能效等方面的能力將飛躍式地超過當前和近期的內存構架。

本行業面臨著的主要挑戰和形成HMCC的主要動機之一是：高性能計算機和下一代網絡設備需要的內存帶寬的增長已超過常規內存架構所能有效地提供的。“內存壁壘”一詞已被用來描述這一挑戰。打破內存壁壘需要像HMC這樣的架構，其可提供不斷增加的密度和帶寬，而同時又顯著地降低功耗。

HMC 標準側重于在優化處理器和內存之間的性能以促進高帶寬內存產品在各種領域的大規模應用的同時減輕極具挑戰性的帶寬瓶頸。更有效率、 更高帶寬內存的解決方案對服務器、高性能計算、 網絡、 云計算和消費類電子產品已成為特別重要的要求。

該達成的規范為需要為FPGA、ASIC、和 ASSP等（例如高性能網絡）提供緊耦合內存或接近內存的支持、試驗與測量的應用程序在互跨物理層（物理）層面提供了先進的短距 SR 和超短距 USR互連方式。該聯盟的下一個目標是進一步推動該標準旨在提高數據傳輸速度。對SR，數據傳輸速率從 10、 12.5 和 15 千兆比特每秒 Gb/s 提高到 28 Gb/s；對USR，從10 Gb/s 提高到15 Gb/s。預計該聯盟將于2014 年第一季度達成關于下一代規范的協議。

HMCC側重于OEM廠商、推廣商和集成商之間的協作，他們正進行合作以制定和實施HMC 開放接口標準。來自亞洲、日本、 歐洲和美國的100多家技術領先公司已為此做出了貢獻，其中包括Altera、ARM、 Cray、Fujitsu、GLOBALFOUNDRIES、HP、IBM、Marvell、Micron Technology、National Instruments、Open-Silicon、Samsung、SK hynix、ST Microelectronics、Teradyne和Xilinx。該聯盟的繼續合作最終可促進在高性能計算、 網絡、 能源、 無線通訊、 交通、 安全和其他半導體應用中的新用途。

可以在 www.hybridmemorycube.org 上找到更多的信息、 技術支持規范和采用該技術的其他工具。

關于HMCC

混合內存立方體聯盟（HMCC）由世界半導體行業的主要成員發起成立，該聯盟致力于為混合內存立方體技術制定和建立行業標準接口規范。其成員包括Altera Corporation、ARM、HP、IBM、Micron Technology、Open-Silicon, Inc.、Samsung Electronics Co., Ltd.、SK hynix Inc.和Xilinx, Inc。若需了解有關HMCC的詳細信息，請訪問 www.hybridmemorycube.org。

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來源：中國商業電訊

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