近日,由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業等41家單位籌建的第三代半導體產業技術創新戰略聯盟在北京成立。科技部副部長曹健林出席了成立大會并為聯盟揭牌。聯盟第一屆理事會第一次工作會同期召開,選舉了聯盟理事長、秘書長。
據介紹,第三代半導體材料是近年來迅速發展起來的以GaN、SiC和ZnO為代表的新型半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優點,是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景,可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發展的重點新材料,正在成為全球半導體產業新的戰略高地。
與此相關技術的突破將引發科技變革并重塑國際半導體產業格局。美、日、歐、韓等發達國家高度重視并已部署國家計劃搶占戰略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與器件的研發及產業化。在政府的持續部署支持下,我國材料研發的整體水平與國際上差距不大,如在第三代半導體材料第一個產業化的應用——半導體照明方面,已經在關鍵技術上實現突破,創新應用國際領先。
此次成立的聯盟,將圍繞產業鏈構建創新鏈,促進產學研合作以及跨界應用的開放協同創新,推動產業生態體系的建設,培育形成一批擁有自主知識產權、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業群,形成全國一盤棋的發展合力,抓住換道超車的歷史性機遇,實現創新驅動發展,在國際上搶占產業發展制高點,重構全球半導體產業格局。(記者郭濤)
來源:中國高新技術產業導報
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