中國存儲器產業如何彎道超車？

7月14日，有可靠人士向《中國電子報》記者透露了紫光集團向半導體存儲巨頭美國美光科技公司發出全面收購邀約的消息。據悉，這是一筆總價約230億美元的收購邀約，而此前，中國企業還未曾出現過如此大手筆的收購意向。

彭博社稱美光科技發言人否認收到紫光收購提議：“美光不會對傳言和揣測置評，但是我們可以確認，我們并沒有收到紫光集團收購提議。”不論收購情況具體如何，紫光集團顯然已經初步顯露了其對半導體存儲產業的野心。

“通過并購這種國際巨頭，發展存儲器產業是正確的，值得肯定。紫光集團具備超強的商業頭腦和資本運作能力，也值得表揚。但我認為美國政府不會批準這個并購，所以這個并購成功的可能性微乎其微。而且目前中國的并購有點過熱，引起了全球的警覺和抵制，這點要引起注意。”芯謀研究首席分析師顧文軍向《中國電子報》記者指出。

存儲器對于中國來說是個特大難題

存儲器產業正是中國目前大力推進的重要芯片領域。2014年6月發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》中強調，要開發基于新業態、新應用的新型存儲等關鍵芯片產業，搶占未來產業發展制高點。

中國對存儲芯片的需求量很大。根據賽迪顧問數據，中國存儲芯片的市場規模目前占國內總芯片市場比重的23.7%，超過CPU和手機基帶芯片。根據DRAMeXchange的數據，2014年中國DRAM消化量達到47.89億顆（2Gbequiv），總計102億美元，占全球產能的19.2%。

然而，在寡頭競爭的大格局下，存儲器的發展對于中國來說是個特大難題。“中國之前的存儲器產業幾乎為零。”手機中國聯盟秘書長王艷輝向《中國電子報》記者指出。

從2014年6月《綱要》發布至今，規劃中的IC設計、制造、封測領域都有了相應進展，目前也只有存儲器領域遲遲沒有大動作。

“中國想要發展存儲器產業只有兩種方式，一種是通過收購獲得關鍵技術，一種自己選擇性地發展突破。”Gartner（中國）研究總監盛陵海告訴《中國電子報》記者。

此前，經歷了一番波折完成對芯成半導體（ISSI）收購的武岳峰資本選擇的就是收購的路徑，只不過ISSI所擅長的SRAM并不是目前最主流的存儲器市場。對于去年相繼拿下展訊和銳迪科、今年又將惠普旗下華三通信納入麾下的紫光集團來說，收購也顯然是最駕輕就熟的路徑。而美光也是一個好的選擇。

“國際主流的3家存儲器廠商中，三星電子和SK海力士是韓國公司，與美光科技這樣的美國公司相比，存儲器產業對韓國政府更重要，因此中國企業想從他們那邊通過收購得到技術很難，才會選擇美光。”盛陵海向《中國電子報》記者指出。

美光科技占據了全球半導體存儲器的三分天下之一，目前存儲器產業最主流的DRAM和Flash都是美光所擅長的領域。其中，DRAM占據了美光2014年近70%的營收。根據iHS的數據，2014年美光科技在全球DRAM市場拿到了24.6%的市場份額，位居全球第三；而在NAND Flash市場，美光科技同樣以18.9%的市場份額位列第三。

從股價的表現來看，目前收購美光也是一個好時機。受到今年芯片獲利不佳、個人電腦市場需求停滯以及三星等公司的強力競爭影響，美光科技的業績有所惡化，股價也持續崩落。根據6月底美光科技發布的截至2015年6月4日的第三季度財報，其銷售額同比減少了3%，凈利潤同比減少了39%。

收購顯然是捷徑，但這并不意味著能夠成功。王艷輝指出，依據《外國投資與國家安全法案》，這筆收購要通過美國外國投資委員會的審批很難。盛陵海也表示，收購的操作沒那么簡單，真要收購價格也不會那么便宜，收購后如何運營好工廠也會是一個問題。

自主發展存儲器產業 以NAND Flash為突破口

“核心的技術靠買是很難買到的，中國還是要堅持腳踏實地，自我發展。”顧文軍向記者指出。

由于發展主流存儲器產業必須要緊跟最先進制程，大筆資金長期投入的必要條件造成了發展產業的困難，但目前中國即將迎來能夠自主發展起來存儲器產業的機遇。

盛陵海告訴記者，在過去的兩三年內，存儲器產業的供應量小于需求量，導致存儲器產業出現了大幅度反彈。然而，盛陵海預測，從明年開始，半導體存儲器市場又會進入蕭條期，因此從時間點上來看，是中國切入存儲器產業較好的機會。

目前中國在發展存儲器產業上也下了很大的決心。此前曾有媒體報道指出，武漢將被打造為中國發展存儲器產業的首要重點區域，由中芯國際和武漢新芯聯手打造存儲芯片國家隊，并有可能募集到規模達240億美元的投資。

武漢新芯正是目前中國僅有的存儲芯片代工廠，其目前主要的業務是NOR Flash存儲器代工，目前月產能達到2萬片每月，其中NOR Flash占1萬片，BSI（背照式影像傳感器）占1萬片。而NOR Flash目前從整個存儲器產業格局來看，所占的市場比例很小。

“因此，我們把未來發展存儲器產業的突破點選在了3D NAND Flash方面，目前的開發進展比較順利。”武漢新芯副總李平告訴《中國電子報》記者。

選擇3D NAND Flash為突破口，武漢新芯顯然有著自己的考量。李平表示，目前從半導體存儲器的市場分割來看，DRAM和NAND Flash基本上是平分天下的局面，是主流市場。而武漢新芯在生產NOR Flash產品上的技術積累為研發NAND Flash奠定了基礎。從技術要循序發展的角度來看，NAND Flash是武漢新芯發展存儲器的最好切入點。

業內專家也同樣看好以發展NAND Flash閃存為存儲器產業突破口。有半導體專家向《中國電子報》記者指出，DRAM產業太過成熟，目前發展DRAM的機會不多。相比較而言，發展Flash閃存，尤其是NAND Flash機會較大。隨著物聯網應用的發展，無論是數據庫還是各節點的終端都有大量的閃存需求。但是如果發展NAND Flash，一定要走IDM（整合元件制造）的模式，而不能局限于代工。這也是目前存儲器巨頭們的主流模式。

盛陵海則認為，中國要想發展起來存儲器產業，不一定要從最主流的DRAM和NAND Flash領域入手，可以逆序思考，選擇小眾的利基市場。利基市場的成本競爭不激烈，可先構建起技術團隊，積累經驗，等到出現存儲器技術轉換的時機，就可以有機會彎道超車。（本報記者 劉靜）

來源：中國電子報

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