日本在尖端半導體領域動作頻頻

　　目前全球半導體產業局勢復雜，多重因素疊加，導致半導體供應鏈面臨很大不確定性。在此背景下，日本近兩年在半導體領域動作頻頻，一方面謀求擴大國內芯片產能、確保供應鏈安全穩定，另一方面試圖再次做大做強半導體產業。

　　11月11日，豐田、索尼、日本電氣、鎧俠、三菱日聯銀行等8家企業共同出資73億日元成立了一家名為Rapidus的高端半導體公司。日本經濟產業大臣西村康稔宣布公司成立消息，并表示政府將向該公司提供700億日元補貼，以資助其芯片開發及生產。

　　未來Rapidus將與IBM等歐美公司展開合作，匯聚各方力量，從共同研發入手，重點開發未來經濟社會不可或缺、能夠瞬間處理大量數據的高端半導體，目標是5年后即2027年量產2納米以下制程的半導體，將用于超級計算機、自動駕駛、人工智能、智慧城市等領域。

　　據專家介紹，2納米以下尖端半導體目前在世界上尚未量產。臺積電與三星公司量產的最先進工藝半導體目前是5納米，2納米工藝半導體需要全新技術，制造難度更高，是業界爭搶的制高點之一。

　　就在西村康稔宣布Rapidus成立的當天，日本經濟產業省還宣布，年內將設立新的研究開發基地，名為技術研究組合最尖端半導體技術中心（LSTC），日本產業技術綜合研究所、理化研究所、東京大學等機構都將共同參與，新成立的Rapidus也將參與其中。Rapidus董事長東哲郎兼任LSTC理事長。

　　媒體稱，Rapidus和LSTC將是日本下一代半導體戰略的兩大支柱。實際上，日本政府去年6月在最新版半導體戰略中明確提出，將致力于推動高端半導體研發、吸引制造商在日本國內建立生產基地。

　　今年4月以來，為了擴大日本國內的半導體產能，日本政府已投入6000多億日元用于各種補助，僅支援臺積電與索尼公司合資在熊本縣建設新廠的補貼就高達4760億日元。此外，鎧俠與美國西部數據公司在三重縣新建合資工廠獲得政府929億日元援助，美國美光科技在廣島縣新建生產設施也獲得465億日元補助。

　　在研發方面，為吸引臺積電在日本筑波市建立研發中心，日本政府今年6月決定拿出190億日元補貼，支持臺積電與日本國內約20家機構共同進行尖端半導體研發。

　　日本政府11月初批準的本財年補充預算案將促進半導體產業發展列為緊迫課題，為資助高端半導體研發及生產一共計劃投入1.3萬億日元。

　　業內人士指出，日本雖然在存儲器、圖像傳感器等半導體領域市場占有率較高，但高性能計算半導體發展相對滯后。臺積電與索尼建設的熊本新廠主要生產300毫米晶圓，將制造12納米至28納米級芯片。

　　專家分析認為，由于日本在尖端半導體技術開發方面起步較晚，與世界先進水平差距較大。而半導體產業拼的就是投資，國家和企業能支撐到什么程度，取決于經濟實力和經濟形勢。尖端半導體最終實現批量生產需要上萬億日元的投資。東哲郎期待日本政府今后能在資金方面給予長期支援。

　　西部數據負責人表示，在確保生產能力后，如何確保需求成為非常重要的課題。半導體產品升級與最終產品市場需求互為一體，共存共榮。日本即使在國內建立起半導體生產基地，如果沒有足夠的最終產品需求，生產基地也很難維持下去。(劉春燕)

　　轉自：經濟參考報

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