本報訊 近日獲悉，為推動節能降耗，促進電力電子技術和產業的發展，國家發改委等有關部門將安排補貼資金支持新型電力電子器件產業化。
隨著我國智能電網、高鐵、新能源汽車以及節能家電等產業的發展，對５英寸及６英寸晶閘管、集成門極換流晶閘管（ＩＧＣＴ）、 絕緣柵雙極晶體管（ＩＧＢＴ）的需求量迅速增大。２００９年我國ＩＧＢＴ的市場規模為５３億元左右，預計未來幾年ＩＧＢＴ市場規模將年增２０％－３０％。
由于我國只有少數小功率ＩＧＢＴ的封裝線，還不具備研發、制造管芯的能力和大功率ＩＧＢＴ的封裝能力，因此，目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依靠進口，技術上長期受制于人。
國家發改委表示，２０１０年將支持金屬氧化物半導體場效應晶體管（ＭＯＳＦＥＴ）、ＩＧＣＴ、ＩＧＢＴ、超快恢復二極管（ＦＲＤ）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產業化。
據悉，國家發改委將組織實施新型電力電子器件產業化專項，鼓勵符合條件的企業申請國家補貼資金支持。國家補貼資金主要用于新型電力電子器件產業化項目的研究開發、購置研究開發及工程化所需的儀器設備、改善工藝設備和測試條件、建設產業化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設必要的配套基礎設施、購置必要的技術和軟件等。
來源：中國高新技術產業導報
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