多晶黑硅太陽能電池研究方面取得重要突破

　　日前，中科院微電子研究所在多晶黑硅太陽能電池研究方面取得重要突破。

　　微電子所微電子設備研究室研究團隊原創性地提出利用等離子體浸沒離子注入技術制備黑硅材料。該團隊利用自行研制的等離子體浸沒離子注入機制備了多種微觀結構的黑硅材料，在可見光波段黑硅的平均反射率為0.5%。該工藝適應大批量制備，成本低，生產效率高。

　　通過對黑硅結構進行優化，對生產線電池配套工藝進行改進，在全國產設備生產線研發出多晶黑硅太陽能電池156mm×156mm，多晶，批量平均效率高達17.46%。

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