我國首款自主知識產權相變存儲器芯片研制成功

日前，我國第1款具有自主知識產權的相變存儲器芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產技術長期被國外壟斷的局面，產業化前景可觀。

據介紹，相比于傳統存儲器利用電荷形式進行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態和非晶態的導電性差異實現存儲，被稱為是“操縱原子排列而實現存儲”的新型存儲器。

相關專家表示，我國半導體存儲器市場規模目前已接近1800億元，但由于長期缺乏擁有自主知識產權的制造技術，國內存儲器生產成本極為高昂。上述相變存儲器自主研制成功，使我國的存儲器芯片生產有望真正擺脫國外的技術壟斷。

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