近日，復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森團隊（以下簡稱"團隊"）研發的"長纓（CY-01）"架構將二維超快閃存器件"破曉（PoX）"與成熟硅基CMOS工藝深度融合，率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構芯片。這一突破攻克了新型二維信息器件工程化的關鍵難題，為新一代顛覆性器件縮短應用化周期提供范例，也為推動信息技術邁入全新高速時代提供支撐。
當前，CMOS（互補金屬氧化半導體）技術是集成電路制造的主流工藝，市場中的大部分集成電路芯片均使用CMOS技術制造，產業鏈較為成熟。團隊認為，如果要加快新技術孵化，就要將二維超快閃存器件充分融入CMOS傳統半導體產線。
基于CMOS電路控制二維存儲核心的全片測試支持8-bit指令操作，32-bit高速并行操作與隨機尋址，良率達94.3%。這也是迄今為止世界上首個二維-硅基混合架構閃存芯片，性能超越目前的Flash閃存技術，首次實現了混合架構的工程化。
團隊表示："這是中國集成電路領域的'源技術'，使我國在下一代存儲核心技術領域掌握了主動權。期待該技術能顛覆傳統存儲器體系，讓通用型存儲器取代多級分層存儲架構，為人工智能、大數據等前沿領域提供更高速、更低能耗的數據支撐，讓二維閃存成為AI時代的標準存儲方案。" （問新）
轉自：中國電子報
【版權及免責聲明】凡本網所屬版權作品，轉載時須獲得授權并注明來源“中國產業經濟信息網”，違者本網將保留追究其相關法律責任的權力。凡轉載文章及企業宣傳資訊，僅代表作者個人觀點，不代表本網觀點和立場。版權事宜請聯系：010-65363056。
延伸閱讀
