日前，全球首款300毫米（12英寸）碳化硅外延晶片在我國成功開發并實現技術首發，這一進展有望為我國第三代半導體產業規模化、低成本應用奠定關鍵基礎。
碳化硅是第三代半導體核心材料，相較于傳統硅材料，在耐高壓、耐高溫和高頻性能上優勢顯著。此次突破的12英寸碳化硅外延晶片由位于廈門火炬高新區的瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司研發，其直徑較當前主流的6英寸產品大幅提升。
技術數據顯示，單片12英寸碳化硅外延晶片可承載的芯片數量是6英寸產品的4.4倍，是8英寸產品的2.3倍。這意味著在相同生產工序下，單片可承載芯片（器件）數量進一步擴容，從而可降低下游功率器件制造成本，加速其在新能源汽車、光伏發電、智能電網、軌道交通及航空航天等領域的規模化、低成本應用。
據悉，該產品的成功開發得益于關鍵供應鏈的國產化協同，其核心生產設備與襯底材料均由國內企業提供。產品在關鍵性能指標上表現優異，外延層厚度不均勻性小于3%，摻雜濃度不均勻性控制在8%以內，芯片良率超過96%，能夠滿足高可靠性功率器件的應用需求。
近年來，全球半導體產業競爭正加速向大尺寸晶片演進。作為中國首家實現商業化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應的生產商，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司此次在12英寸碳化硅外延技術的率先突破，不僅體現了我國在該領域的技術領先性，也為構建自主可控的第三代半導體產業生態、搶占未來產業競爭制高點提供了強有力的材料基礎。目前，批量供應籌備工作已啟動。
轉自：科技日報
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