南昌大學成功研制高內量子硅襯底技術 打破日美壟斷局面

　　2月22日，筆者從2017年江西省教育工作會議上獲悉，為表彰南昌大學江風益教授研究團隊做出的杰出貢獻，該省決定對江風益教授研究團隊特別獎勵1000萬元，用于團隊的人才培養、學科建設、科技創新、對外交流合作及條件建設。

　　據介紹，南昌大學江風益教授研究團隊“十九年磨一劍”，經過3000多次實驗，在國際上率先研制成功高內量子效率硅襯底藍光LED外延材料和高取光效率高可靠性單面出光藍光LED芯片，并率先實現了產業化，打破了日美等國在該領域的技術壟斷。

　　江風益教授研究團隊的“硅襯底高效GaN基藍色發光二極管”項目榮獲2015年度全國唯一一項國家技術發明一等獎，實現了江西省在該項獎勵“零”的突破。

　　據了解，此項重獎系江西省委教育工委、省教育廳與省財政廳聯合向省政府請求同意。旨在“保持LED研究領先優勢，推動‘南昌光谷’建設和我省LED產業發展，進一步激發全省高校科技人員創新活力。”

　　得益于“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”項目的成功，江西省已描繪出LED產業發展“路線圖”：到2020年，全省LED產業主營收入要超過1000億元，把江西建設成為具有國際核心競爭力的LED全產業鏈研發、制造和應用基地，將南昌打造成全國的LED“光谷”。

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