中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際）與大唐電信科技產業集團旗下聯芯科技有限公司（簡稱“聯芯科技”）近日共同宣布，中芯國際28納米高介電常數金屬閘極（HKMG）制程已成功流片，基于此平臺，聯芯科技推出適用于智能手機等領域的28納米SoC芯片，包括高性能應用處理器和移動基帶功能，目前已通過驗證，準備進入量產階段。
中芯國際是中國大陸首家能夠同時提供28納米多晶硅（PolySiON）和HKMG制程的晶圓代工企業。與傳統的PolySiON制程相比，中芯國際28納米HKMG技術將有效改善驅動能力，進而提升晶體管的性能，同時大幅降低柵極漏電量。基于中芯國際28納米HKMG制程平臺，聯芯科技推出的智能手機SoC芯片擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主頻達1.6GHz。延續聯芯科技在4G移動通信市場的佳績，該芯片的面世將推動搭載“中國芯”的智能手機進一步擴大市場份額。
中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云表示：“我們還將持續進行28納米技術平臺的開發及改善，預計將在2016年底推出基于HKMG制程的緊湊加強型版本，為客戶提供更多優化的制程選擇。”（陳炳欣）
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