我國研發出世界首個半浮柵晶體管

日前，由復旦大學微電子學院張衛教授領銜團隊研發的世界第一個半浮柵晶體管（SFGT）研究論文刊登于《科學》雜志，這是我國科學家首次在該權威雜志發表微電子器件領域的研究成果。該成果的研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術，從而在國際芯片設計與制造領域內逐漸獲得更多的話語權。

MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是現在集成電路的核心器件。在過去的幾十年里，各國科學家努力將更多的MOSFET 集成到一塊芯片上來提高運算能力，鉆研如何實現更小尺寸的元器件。張衛表示，隨著器件尺寸越來越接近其物理極限，基于新結構和新原理的晶體管成為當前業界急需。

半浮柵晶體管的前瞻研發就是在這種情況下展開的。研究團隊將隧穿場效應晶體管（TEET）和MOSFET 相結合，構建成了一種名為“半浮柵”的新型基礎器件。論文第一作者王鵬飛教授解釋說，“ 隧穿”是量子世界的常見現象，可以“魔術般”地通過固體，好像擁有了穿墻術。“隧穿”勢壘越低，相當于“墻”就越薄，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET 和浮柵晶體管相結合，半浮柵晶體管（SFGT）的“ 數據”擦寫更加容易、迅速。

來源：科技日報

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