我國集成電路研究取得新突破

據新華社電 中國研究人員8日在美國《科學》雜志上報告說，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數據擦寫更容易、更迅速，整個過程都可在低電壓條件下完成，為實現芯片低功耗運行創造了條件。

研究負責人、復旦大學教授王鵬飛對新華社記者說：“我國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管作為一種新型的微電子基礎器件，它的成功研制將有助我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與制造上逐漸獲得更多話語權。”

據王鵬飛介紹，金屬－氧化物－半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前集成電路中的主流器件，過去幾十年工藝的進步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，越來越接近其物理極限，基于新結構和新原理的晶體管成為當前業界急需。半浮柵晶體管的前瞻研究就是在這種情況下展開。

他說，半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內嵌一個廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場效應晶體管（TFET）制成。半浮柵晶體管的優勢在于體積可更小，結構更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。

半浮柵晶體管不但能應用于存儲器，還可應用于主動式圖像傳感器芯片（APS），讓新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，并使圖像傳感器的分辨率和靈敏度得到提升。

對于這項技術的產業化前景，王鵬飛說，新型器件往往還需要經過深入研究、性能優化等大量工作才能逐步實現產業化，目前針對這個器件的優化和電路設計工作已經開始。

來源：中國質量報

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