華為獲準在英國“硅沼”建研發制造中心 計劃投資10億英鎊

　　據華為官網消息，英國當地時間6月25日，位于英國劍橋“硅沼”腹地的華為劍橋園區第一期規劃已經獲批，主要用于光電子的研發與制造。

　　據了解，該項目一期規劃用地9英畝，建筑面積達50000平方米，計劃投資規模10億英鎊(約88億元)，預計將帶來400多個工作崗位。

　　項目歷時三年

　　華為劍橋園區位于高科技企業云集的英國劍橋“硅沼”腹地，落成后將成為華為海外光電子業務總部。華為表示，這項投資將極大地促進該地區的高科技發展，從而進一步鞏固劍橋作為全球創新中心的地位。

　　該項目規劃經歷三年多時間。2017年，華為開始選址，2018年完成500英畝南劍橋郡新址的購買，2019年初啟動規劃申請程序。這里原是文具企業Spicers位于索斯頓以西的造紙廠和生產基地。

　　今年是華為進入英國市場的第20年，該公司目前在英國擁有1600名員工。華為稱，首期項目將聚焦光器件和光模塊的研發、制造。通過集研發制造功能一體，以加速產品研發和商業化進程，更高效地將產品推向市場。

　　光電子技術是光纖通信系統的一項關鍵技術，華為在英國的這項重大投資旨在推動相關技術應用于全球數據中心和網絡基礎設施。

　　華為副總裁張建崗表示，英國研發中心將僅專注于光電子的研發與制造。這是華為三年前設想的，與美國最近的任何行動都沒有關系。關于該項目違反美國不合理制裁的任何提法，都是不負責任和不正確的。

　　擬建光芯片廠

　　2019年5月，英國《金融時報》報道稱，華為計劃在英國劍橋開設一座400人規模的芯片研發中心，預計2021年投產。當時，華為回應稱，華為在英國劍橋購買了513英畝土地，計劃未來5年，投資10億-20億英鎊建設和運營光器件的研發、制造基地，面向全球提供光器件和光模塊。

　　早在2019年2月，華為創始人兼總裁任正非接受BBC專訪時稱，華為在英國愛丁堡、布里斯托、利普斯維奇都建立了研究中心，在伯明翰建立了培訓中心。在劍橋要建立一個光芯片的生產中心。

　　任正非還表示，在光芯片上，電子、光子、量子交換上，歐洲領先世界，華為在英國建立的工廠是光交換芯片。

　　當時，任正非在采訪中透露：“我們最近在劍橋買了500英畝的土地建光的芯片工廠。在光的芯片上，我們是領導全世界的，建工廠就是為了將來出口到很多國家去。”

　　任正非稱：“我們還會繼續投資，對英國是信任的，希望英國更信任我們，我們更大規模投資到英國。如果美國不信任我們，我們更大規模把投資轉到英國來投資。”

　　外企長期壟斷高端光芯片

　　光芯片(激光器芯片)是光器件的核心元件，基于受激輻射原理，主要用于光電信號轉換。激光器芯片(Chip)通過TO、COB等封裝形式制成光模塊(Transceiver)，用于電信和數據中心市場。常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三種類型，分別應用于不同傳輸距離和成本敏感度的應用場景。

　　國盛證券研報表示，光芯片的制造過程可以分為芯片設計、基板制造、磊晶成長、晶粒制造四個環節。光芯片處于光通信產業鏈高點，技術壁壘高。從光器件產業鏈上看，主要可以分為晶圓、光芯片、光器件、光模塊、光設備以及其它下游市場。其中，光芯片產業位于光通信產業鏈上游位置，且市場多為外國公司所占有。

　　“外企長期壟斷高端光芯片，國產空間替代空間可期。”國盛證券還表示，近年來，我國光模塊封裝企業發展迅速，但是作為光模塊核心器件的光芯片，卻高度依賴國外企業。根據《中國光器件產業發展線路圖(2018-2022)》顯示，我國10Gb/s下的光芯片國產化率達到80%，10Gb/s速率的光芯片國產化率接近50%，而25Gb/s及以上的速率的光芯片，國產化率僅3%。

　　長江證券指出，伴隨流量加速爆發，光芯片市場規模加速增長。在電信市場，傳輸網擴容正當時，接入網逐步向10G PON升級，5G基站大規模建設或帶來超20億美元光芯片市場空間，為4G時代2.8倍。在數據中心市場，需求持續井噴。在消費電子市場，VCSEL芯片切入消費電子市場，市場空間拓展10-100倍。隨著硅光集成度提升帶來價值占比提升，未來成長空間“一望無際”。

　　轉自：中國證券報

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