存儲器(Memory)是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。在計算機的運算過程中，輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都會保存在存儲器里，可以說存儲器是現代信息技術發展的核心部件之一。
存儲器廣泛應用于計算機、消費電子、網絡存儲、物聯網、國家安全等重要領域，是一種重要的、基礎性的產品。
存儲器市場看，DXI指數本月走勢維持平穩，略有小幅度下降，行業供需情況逐步平穩，短期內處于下游需求相對淡季，因此行業景氣度基本保持平穩的大趨勢。
終端、云端應用增長爆炸，存儲器銷售額預計增長58%，達1220億美元
據前瞻產業研究院發布的《存儲器行業發展前景預測與投資戰略規劃分析報告》數據顯示，2017年市場規模1840萬臺。HDD由于容量大、成本低目前仍是云端市場主流，約占80%。中長期來看，隨著3DNAND技術逐漸成熟，SSD取代HDD速度或將加快，屆時對NANDFlash需求或爆發，恐再次出現供不應求現象。到2017年存儲器市場同比增長58%,銷售額達1220億美元。
NANDFlash、DRAM為存儲器市場主力軍，NORFlash市場小但機會大
按照市場規模看，DRAM約占存儲器市場53%，NANDFlash約占存儲器市場42%，二者合計份額達95%，為存儲器市場主要構成產品。2017年NANDFlash銷售額預計年增44%，DRAM銷售額預計年增74%，拉動作用極其明顯。
NORFlash主要機會在于市占率約25%的賽普拉斯、市占率近20%的美光陸續退出市場，而物聯網、工控應用等市場需求依舊旺盛，對于現有玩家而言填補市場機會巨大。從長期角度來看，NANDFlash仍為未來市場主要方向。2020年NANDFlash市場規模上看650億美元。
全球存儲器產品結構(按銷售額)
近年來存儲器在半導體產業中的占比穩步提升
目前已經達到24%左右，而在集成電路中的比重更是超過了30%，在產業中占據極為重要的地位。目前全球存儲器的市場已經達到773億美元，從存儲器的構成來看，2016年DRAM的市場規模超過400億美元，成為存儲器領域第一大產品類型，而NANDFlash受益于智能手機和SSD的興起，市場規模也達到300億美元左右，兩者在存儲器領域的占比已經超過90%。
全球半導體和存儲器(半導體)的市場規模
NAND存儲器技術處于變革關鍵時間點，未來價格關注3D產能情況
NAND存儲器制程轉換遭遇瓶頸，采用3D堆疊技術為主要解決方案。3D產能目前三星投產率、良率最高，其64層3D-NAND三季度已進入量產階段，3D產出占投產量達50%，其他廠商亦在Q3有所放量，到2017Q3全球新增產能超20萬片/月，新增產能對NANDFlash供應緊缺的壓力有所緩解。
同時，3DNANDFlash存儲密度高，單位容量成本低：據前瞻產業研究院估計，3DNAND技術下每GB成本約0.1美金，較2D結構至少低30%。在48層3DTLC架構下，1TBSSD成本已低于2DTLC架構，3DNAND較2DNAND更為經濟。
另一方面，NANDFlash下游需求增長空間仍大：智能手機及SSD滲透率提升仍構成NANDFlash的巨大需求。供給產能的緩解與需求空間的提升對NANDFlash價格構成相反影響，未來價格變化依舊有待觀察。
2017年NANDFlash主要廠商產量(單位：萬片)
DRAM價格繼續走強，維持上漲態勢
DRAM價格于2017Q2有所回調，2017Q3后則繼續維持，2016年以來漲勢，2017年初至10月，DDR34G1600MHz價格上漲25%左右。拉動DRAM價格上漲原因主要有：
(1)需求端來看，終端云端需求不減：終端智能手機內存容量升級，云端服務器、數據中心的強勁需求均拉動DRAM需求的增長。
(2)供給端來看，DRAM廠產能增加有限：三大DRAM廠(三星、海力士、美光)產能增加空間已相當有限，接近滿載，從產能規劃來看，2018年新增投片量僅約5-7%，源于現有工廠產能的重新規劃，資本支出傾向于保守，僅SK海力士決議在無錫興建新廠，最快產能開出時間落在2019年。需求供給兩側來看，預計2018年DRAM價格仍將維持上漲態勢。
DRAM價格(單位：美元)
據前瞻產業研究院數據顯示，目前中國市場所消耗的DRAM量超過全球20%，而NAND的數據更是驚人，2017年占全球30%以上，而到了2020年該占比將超過40%。而與此形成鮮明對比的是：在存儲器領域，中國幾乎完全依賴于進口，存儲器已經成為我國半導體產業受外部制約最嚴重的基礎產品之一，存儲器國產化也成為了我國半導體發展大戰略中的重要一步。
數據來源：前瞻產業研究院整理
轉自：中國安防展覽網
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