三星將發布新一代存儲器eMRAM 取代DRAM地位仍需時日

　　目前，存儲器市場以NAND Flash和DRAM為主，但是對于下一代新型存儲器的探索一直持續不斷。近期，存儲器市場龍頭企業陸續推出eMRAM的相關技術，作為企業的風向標，此舉動是否會影響NAND Flash和DRAM的市場格局？新一代存儲器是否具備實力爭奪傳統存儲器的市場？

　　下一代存儲器來臨

　　近期，三星傳出消息，將發布新一代存儲器eMRAM，計劃今年下半年試產1Gb eMRAM測試芯片。據了解，eMRAM模塊可以很容易地插入28FDS工藝的后端，對工藝前端的依賴性較小，以便與現有的邏輯技術（包括體硅、FinFET和FDSOI晶體管）更易集成。與NAND Flash和DRAM相比，eMRAM可以進行無電源存儲數據材料，并且具備極高的存儲速度。三星官方表示，eMRAM屬于非易失性存儲器，采用Spin-torque transfer自旋傳輸科技進行數據的讀寫，因此在速度上要遠超過NAND。

　　此外，eMRAM具有更低的能耗，工作期間的耗電量要遠低于傳統存儲器，停止工作時可以斷電保存。三星宣布該款產品基于其28納米FD-SOI工藝，首款嵌入式MRAM（eMRAM）產品將投入商業生產。

　　在第64屆國際電子器件會議（IEDM）上，三星展示了eMRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術，值得關注的是，英特爾同期也推出了自家嵌入式 MRAM的相關工藝。一時間，關于eMRAM的話題不斷，有專家稱，eMRAM將會是構建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。

　　下一代存儲器的討論一直很熱。英特爾曾推出自家3D XPoint，速度介于DRAM和NAND Flash之間，被業內看成是下一代存儲器的接力棒選手。但因英特爾與美光合作的終止，導致3D XPoint存儲器產品前途堪憂。除此之外，相變存儲器（PCM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉移力矩RAM（STT－RAM）、導電橋RAM（CBRAM）、氧化物電阻存儲器（OxRAM）等眾多新興存儲器技術或將割據未來的存儲器市場。

　　取代傳統存儲器？

　　三星半導體在存儲行業中可以稱作是風向標的存在。此次，三星重磅推出eMRAM，英特爾緊隨其后，兩家代表性企業的這些舉動，對存儲器市場來說，勢必會產生一些影響。"對于三星半導體，公司本身就具備優異的存儲器設計能力，而且還具有自己的LSI代工產能，如果未來采用自家的下一代存儲器eMRAM，并且成功導入流量平臺，將有助于取代部分的DRAM/NAND Flash，成為另一種分支形態的存儲器解決方案。"集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）資深協理吳雅婷說。

　　下一代存儲器eMRAM真的會取代DRAM和NAND Flash嗎？"eMRAM只會部分取代DRAM/NAND的使用量，但并沒有辦法完全取代現有的存儲器解決方案。"吳雅婷告訴《中國電子報》記者。在所有新一代存儲器中，eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash 極其相似，具備一定的優點，但并未具備完全替代DRAM和NAND Flash的性能。"使用新一代存儲器，對于傳統平臺來說，需要改變以往的平臺架構才能適應，并不是可以輕松進行使用的。"吳雅婷說。

　　新一代存儲器想要獲得一定的市場空間，還需要與現有的存儲器解決方案進行配合，加快適應傳統平臺的架構，釋放性能方面的優勢。"如果新一代存儲器與傳統存儲器配合得當，能夠在省電以及性能方面取得一定的優勢，就會為市場帶來多一種存儲器的選項。這將會讓產業在存儲器市場發生大缺貨時，避免價格不穩定等問題。"吳雅婷說。（記者 顧鴻儒）

　　轉自：中國電子報

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