記者近日從云南大學材料與能源學院獲悉，該學院楊鵬、萬艷芬團隊經過持續研發，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題，為更豐富的應用場景器件開發提供支持，同時給行將終結的摩爾定律注入新的希望，提供極具潛力的半導體材料。
云南大學副教授楊鵬介紹，作為類石墨烯材料的典型代表，過渡金屬硫族化合物不僅具備類似石墨烯的范德華力結合的層狀結構，還擁有優異的光、電、磁等性能，可大大拓寬半導體材料的實際應用范圍。然而當今二維材料共同面對的比如材料面積不大、不易轉移等問題，對半導體產業的發展形成了一定影響。
針對這些難題，楊鵬、萬艷芬團隊通過物理氣相沉積和化學氣相沉積相結合的方式，在合適的溫度、壓強等條件下，實現制備平方厘米級大面積少層、均勻的硫化鉑材料，并表征了相關物理特性。這一研究成果為大面積電子器件的發展提供了新的思路與技術基礎，并為未來拓展過渡金屬硫族化合物的應用范圍提供了重要參考。相關研究成果發表在國際著名材料學術刊物《現代材料物理學》上。（趙漢斌）
轉自：中國高新技術產業導報
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