近日，記者從中國科學技術大學獲悉，姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡偉團隊在純紅光鈣鈦礦發光二極管（LED）領域取得重要進展。通過自主發明的電激發瞬態光譜（EETA）技術，研究團隊揭示了空穴泄漏是導致純紅光三維鈣鈦礦LED效率滾降的關鍵因素，并成功制備出高性能純紅光鈣鈦礦LED。相關研究成果已在線發表于國際學術期刊《自然》雜志。
據了解，金屬鹵化物鈣鈦礦是新一代半導體材料，具有載流子遷移率高、色彩純度高、色域廣等優勢，可作為LED中的發光層材料。純紅光鈣鈦礦LED是三基色光源，在高清顯示領域具有較大潛力，應用前景光明，但目前存在難以兼顧亮度與效率的難點。中國科大研究團隊此次的研究成果主要解決了純紅光鈣鈦礦LED在亮度提高時效率驟降的問題。
此次基于"三維鈣鈦礦異質結"開發的純紅光鈣鈦礦LED展現出了國際領先水平的高性能：峰值外量子效率（EQE）達到24.2%，與頂級OLED水平相當；最大亮度達到24600cd/m2，相比之前的純紅光三維鈣鈦礦LED提升了3倍；同時，器件在22670cd/m2亮度時，其外量子效率仍然超過10%，展現出極低的效率滾降。（記者吳修齊）
轉自：中國電子報
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