近日，復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、集成電路與微納電子創新學院團隊成功研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片，解決了長期困擾行業的存儲速率技術難題。
如今，數據存取性能面臨著極致要求，傳統存儲器的速度與功耗已成為阻礙算力發展的關鍵瓶頸。而此次復旦團隊研發的閃存芯片，將二維超快閃存器件"破曉（PoX）"與成熟硅基 CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝深度融合，創造出"長纓（CY-01）"架構。芯片讀寫操作速度快至20納秒，核心存儲單元擦寫速度達到400皮秒，寫入每比特數據能耗僅0.644皮焦耳，性能遠超傳統閃存。為解決二維材料與CMOS集成的難題，團隊提出了創新的模塊化集成方案：先獨立制造二維存儲電路與
CMOS控制電路，再通過"分離制造-單片互連"模式及高密度互連技術完成集成，實現了原子尺度上二維材料和 CMOS襯底的緊密貼合，最終芯片制造良率高達94.3%。目前，該團隊已為相關技術進行了專利布局。
據悉，該團隊下一步計劃建立實驗基地，與相關機構合作開展自主的工程化項目。（郭冬玲）
轉自：中國知識產權報
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