我國首款商用１００Ｇ硅光芯片投產

　　日前，我國首款商用１００Ｇ硅光芯片已經正式投產使用。據悉，該芯片由國家信息光電子創新中心、光迅科技公司、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯合研制，可實現１００Ｇ／２００Ｇ全集成硅基相干光收發集成芯片和器件的量產，并通過了用戶現網測試，性能穩定可靠。

（資料圖片 來源互聯網）

　　據悉，該款商用化硅光芯片在一個不到３０平方毫米的硅芯片上集成了包括光發送、調制、接收等近６０個有源和無源光元件。當該芯片完成封裝后，其硅光期間產品的尺寸僅為３１２平方毫米，面積只有傳統器件的１／３，能夠非常全面地滿足ＣＦＰ／ＣＦＰ２相干光模塊的需求。目前，該系列產品支持１００－２００Ｇｂ／ｓ高速光信號傳輸，具備超小型、高性能、低成本、通用化等優點，能夠廣泛應用于傳輸網和數據中心光傳輸設備。

　　據了解，目前硅材料來源豐富、成本較低、機械性能、耐高溫能力都非常高，這便于芯片加工和封裝。而借助集成電路已經大規模商用的ＣＭＯＳ工藝平臺去實現硅光芯片的生產制造，能夠有效解決我國高端光電子芯片制造能力薄弱、工藝能力不足等問題。

　　對于本次我國首款１００Ｇ商用硅光芯片的投產使用，國家信息光電子創新中心專家委員會主任余少華院士表示：“此次，工信部主導成立國家信息光電子創新中心，及時推動了四家單位通力合作實現１００Ｇ硅光芯片的產業化商用，既展現出了硅光技術優勢，也表明我國已經具備硅光產品商用化設計的條件和基礎。”

　　未來，我國在自主硅光芯片技術方面將繼續向超高速、超大容量、超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠性等方向發展。（范昊天）

　　轉自：中國高新技術產業導報

 

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