記者從長江存儲科技有限責任公司 官網獲悉，4月13日，長江存儲科技有限責任公司在武漢宣布，其128層QLC 3D NAND 閃存研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
如果將記錄數據的0或1比喻成數字世界的小“人”，一顆長江存儲128層QLC芯片相當于提供3,665億個房間，每個房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊（Grace）表示，作為閃存行業的新人，長江存儲用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。長江存儲128層系列產品將會為合作伙伴帶來更大的價值，具有廣闊的市場應用前景。（鄒潔）
轉自：中國工業新聞網
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