全球半導體產業正經歷以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為核心的第三代材料技術迭代，碳化硅和氮化鎵已成為破解新能源領域能源效率瓶頸的關鍵器件。在此產業發展機遇期，天域半導體即將登陸資本市場，這既是企業發展歷程中的重要里程碑，更為資本市場提供了布局硬科技賽道的優質標的。
賽道龍頭地位穩固，技術實力獲國際認可
隨著碳化硅在電動汽車、AI算力基建等領域的快速滲透，天域半導體正迎來前所未有的發展機遇。全球碳化硅功率半導體器件市場規模預計將從2024年的32億美元增長至2029年的158億美元，復合年增長率達37.3%。中國市場的增速更為迅猛，同期復合年增長率預計達41.7%。拋開傳統的電動汽車市場，在AI算力需求爆發增長的今天，碳化硅憑借其優異的物理特性在AI領域起到無可替代的作用。據悉，天域半導體早在2014年就成功研制出十千伏級的外延材料，打破了當時海外的壟斷，并且也是目前全球范圍內少數掌握此技術的碳化硅外延企業。相信在未來，天域半導體將成為碳化硅材料在AI領域供給的主力軍。
目前，天域半導體在中國碳化硅外延片市場的收入和銷量均排名第一，市場占有率分別達到30.6%和32.5%；在全球則分別為6.7%及7.8%，位列前三。公司的技術實力已獲得英飛凌、安森美等國際頂尖客戶認可，產品成功進入全球領先整合器件制造商的供應鏈體系。
估值橫向對比顯優勢，價值洼地特征明顯
天域半導體此次發行預計市值約為220億港元，通過與同行業公司深入對比分析，可以發現這一估值實則具備顯著優勢。首先，與已上市公司對比估值吸引力突出。目前港股上市的第三代半導體氮化鎵概念公司——英諾賽科2024年仍處于虧損狀態，難以用傳統估值指標衡量，但總市值按照最新港股收盤日計算，約為629億港元；而A+H股的碳化硅襯底公司天岳先進按照最新港股收盤日的動態市盈率，則高達678倍，即使是按照2024年的平均靜態市盈率，亦達到189倍，總市值約276億港元。碳化硅襯底和外延在整個碳化硅產業鏈的價值鏈占比超60%，因此天域半導體的預計市值相較同行處于價值洼地，仍有較大的上升空間。
其次，與未上市公司對比估值更為理性。同業公司瀚天天成在2024年12月完成的Pre-IPO輪融資中，估值已超過260億元人民幣，且仍受到眾多機構追捧。天域半導體作為行業排名前列的企業，當前220億港元（約200億元人民幣）的發行估值，相較瀚天天成存在明顯折價。
港股特有機制與基本面支撐，投資價值多維保障
值得注意的是，天域半導體采用公開發售占比10%的B機制發行策略，港股B機制的特征為公司上市后表現提供了獨特支撐。歷史數據顯示，港股市場中具有稀缺性的科技公司，在B機制下往往能獲得更高的市場關注度和資金追捧。
同時，公司設置的15%綠鞋機制為股價穩定提供了有力保障。這一機制允許承銷商在上市初期股價破發時入場買入支撐股價，有效緩沖下行風險，為投資者提供了額外的安全邊際。
從基本面看，公司的核心競爭力為其估值提供了堅實支撐。天域半導體的生產總部截至2025年5月30日的產能利用率接近60%，較2024年顯著提升，直接反映出當前的供需格局緊張，本次IPO募資大部分將用于擴產恰逢其時。更重要的是，公司正積極把握碳化硅行業向8英寸升級的歷史性機遇，產品結構優化將顯著提升盈利能力和估值水平。
天域半導體作為中國碳化硅材料領域的領軍企業，在當前估值水平下具備顯著投資價值。通過與同行業公司對比，公司發行估值存在明顯優勢；基于未來業績增長的估值測算顯示巨大上行空間；港股特有機制和公司基本面為投資價值提供了多維保障。
在半導體自主可控國家戰略與全球能源革命的雙重驅動下，天域半導體不僅有望在上市后實現價值重估，而且是投資者參與中國第三代半導體產業崛起的歷史性機遇，值得重點把握。
轉自：中國經濟新聞網
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