在全球半導體產業重構與新能源革命深度交織的時代，第三代半導體材料以其獨特的性能優勢，成為破解傳統半導體技術瓶頸的核心密鑰。碳化硅作為第三代半導體的核心代表，在高壓、高溫、高頻場景中不可或缺，直接支撐新能源汽車、光伏、智能電網等戰略性新興產業的升級迭代。廣東天域半導體股份有限公司，作為中國碳化硅外延片領域的技術先驅與行業領航者，以持續的尺寸技術突破打破國際壟斷，以全鏈條技術可控構建核心壁壘，在國產替代浪潮中扛起行業發展大旗，書寫著中國第三代半導體產業的突圍傳奇。
作為中國為數不多深耕第三代半導體領域的領軍企業，天域半導體自成立以來便錨定碳化硅外延片這一關鍵賽道，始終以技術創新驅動產業升級。外延片作為功率半導體器件的核心原材料，其技術水平直接決定終端產品的性能上限。在國際巨頭長期壟斷核心技術與市場供給的背景下，天域半導體率先實現全尺寸產品的技術突破與量產落地，構建起覆蓋4英寸、6英寸及8英寸的產品矩陣，成為推動行業技術迭代的核心力量。2014年，公司實現4英寸碳化硅外延片量產，為國內早期碳化硅器件研發提供了穩定可靠的本土供應；同年，公司成功研制出十千伏級外延材料，打破了海外對于超高壓材料的禁運。這不僅是公司技術上的突破，也是中國半導體材料發展的一重大里程碑。據悉這種超高壓級別的材料主要應用在AI數據中心、智能電網等領域，為未來這部分市場發展埋下伏筆；2018年完成6 英寸產品量產，精準匹配市場主流需求，迅速搶占市場份額；2023年成功具備8英寸量產能力，成為國內少數能夠量產8英寸碳化硅外延片的企業之一，實現了從“跟跑”到“并跑”再到“局部領跑”的跨越。
尺寸技術和生長厚度的持續突破，為天域半導體的國產替代之路奠定了堅實基礎。2024年數據顯示，以收入計，公司在中國自制碳化硅外延片市場的份額達 30.6%，以銷量計更是高達 32.5%，穩居國內第一；在全球市場中，公司位列中國廠商第三，市場份額分別為 6.7%（收入計）及 7.8%（銷量計），成為全球碳化硅外延片市場中不可忽視的中國力量。尤為值得關注的是，8英寸較于6英寸外延片不僅使單位面積芯片產出提升90%，更通過降低邊緣缺陷密度顯著提升良率，其毛利率在2025 年前五個月達到 49.8%，充分彰顯了大尺寸技術突破的商業價值。這一突破不僅填補了國內技術空白，更打破了海外廠商在高端市場的壟斷格局，使國內下游企業得以擺脫對進口產品的依賴，為中國功率半導體產業的自主可控提供了關鍵支撐。
技術可控是企業抵御行業風險、構建核心競爭力的底氣所在。天域半導體深諳核心技術自主可控的戰略意義，構建了從研發到生產、從供應鏈到標準制定的全鏈條技術體系，打造了難以復制的技術護城河。截至 2025年5月31日，公司累計擁有84項專利，其中發明專利33項、實用新型專利51項，涵蓋外延生長工藝、產品測試、清洗技術等關鍵領域，攻克了基平面位錯控制、掉落物缺陷抑制等行業共性難題。在標準制定方面，公司主導或參與起草1項國際標準、13項國家標準、12項團體標準及4項企業標準，以行業標桿身份參與全球技術規則制定，掌握行業發展話語權。
持續加碼的研發投入與深度協同的創新生態，為技術迭代提供了強勁動力。2022年至2024年，天域半導體研發開支逐年遞增，分別達到 2920 萬元、5530 萬元及6100萬元，持續的投入使其在摻雜濃度均勻性、外延層厚度控制、芯片良率等關鍵指標上達到國際先進水平。公司還承擔或參與3項國家級、7項省市級重點研發項目，與科研機構、高校及上下游企業形成協同創新生態，持續鞏固技術領先優勢。更值得關注的是，天域半導體通過推進供應鏈國產化，大幅降低了對海外原材料的依賴，截至 2025年5月，來自中國供應商的采購額占原材料總采購額的99.8%，實現了核心供應鏈的自主可控，有效抵御了國際貿易政策變動帶來的風險，為技術落地與產能擴張提供了穩定保障。
從技術突圍到產業引領，從天域半導體的發展軌跡中，我們清晰看到了中國第三代半導體產業的崛起之路。作為行業發展的推動者，天域半導體不僅以自身技術突破打破國際壟斷，更以全鏈條自主可控的實踐為國產替代提供了范本，以生態賦能推動整個行業協同發展。在全球新能源革命與半導體產業重構的雙重機遇下，天域半導體將繼續以技術為核心、以創新為引擎，持續突破尺寸限制與技術瓶頸，鞏固國產替代成果，推動中國碳化硅外延片行業向更高質量、更高水平邁進，為中國戰略性新興產業的自主可控與全球競爭力提升提供堅實支撐。
轉自：千龍網
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