1月9日，英特爾與美光公司宣布，雙方將在完成第三代3DNAND技術研發之后，各自獨立開發3DNAND閃存芯片。這意味著屆時在存儲器領域兩者維持多年的合作關系亦將隨之結束。消息傳出不久，即有中國臺灣地區媒體預期英特爾在3DNAND布局押寶中國大陸市場，后續不排除以技術授權等方式攜手紫光集團。盡管這一預測其后并未得到任何證實，卻反映出業界對于紫光集團發展存儲芯片事業的關注。2018年對于紫光集團來說，正是其全面發力存儲芯片事業的最為關鍵一年，攻堅克難在此一舉！
（圖片來源：互聯網） 產業布局已全面鋪開
2018新年伊始，位于四川成都天府新區的紫光IC國際城項目便已傳出消息，項目建設正式啟動。紫光集團董事長趙偉國在致辭中表示，此次啟動的天府新區紫光IC國際城項目是紫光集團在芯片制造領域的三大布局之一。項目全部建成后，除了實現月產30萬片12英寸3DNAND晶圓外，還將涵蓋從設計到封測的芯片相關業務，并包括紫光集團“從芯到云”的完整產業鏈。整個項目未來十年總投資會超過2000億元。
趙偉國提到的紫光在存儲芯片的三大布局是指武漢長江存儲建設的國家存儲器基地、南京建設的紫光IC國際城，以及此次啟動的天府新區紫光IC國際城項目。目前為止，長江存儲進展最快，一期工廠已經竣工，預計將于2018年投入使用，項目一期達產后，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。南京項目也已進入實質性啟動階段。
2017年11月項目啟動，投資300億美元打造半導體產業基地，并投資300億元進行紫光IC國際城項目建設，主要生產3DNAND和DRAM芯片；基地一期正式達產后，將月產10萬片，預計年產值達48億美元；二期正式達產后，月產20萬片，預計年產值達100億美元。
針對2017至2018年度公司如此密集地展開產業布局，趙偉國表示，存儲芯片產業必須有規模，建設三大基地就是為了追求規模效應，未來三大基地將在研發和生產、市場、銷售上協調一致行動。其實，除了產業基地的建設之外，紫光在存儲芯片產業鏈上也進行了相應布局。目前紫光在存儲領域的布局，包括存儲芯片的制造、封測和SSD，基本是一個完整的產業鏈。最新進展包括武漢、南京、成都存儲芯片工廠建設順利，研發進展正常，上海宏茂的存儲芯片封測項目正在進行中，蘇州的SSD工廠已開工建設。
然而，紫光在存儲芯片上產業布局全面鋪開的同時，挑戰也將如影而至。眾所周知，全球存儲市場幾乎被三星、海力士、美光、東芝、西部數據等五家廠商瓜分，中國在此領域基本處于空白。Gartner半導體分析師盛陵海此前在接受記者采訪時指出：“紫光是中國發展半導體業領頭羊之一，但要真的成為全球一線存儲器制造商，前方困難還非常多。”
具體來看，紫光面臨的挑戰可以歸結為三個方面：專利技術、資金和市場。
專利技術：還要立足自主研發
2017年12月4日，美光公司根據“保護營業秘密法”（Defend Trade SecretsAct），以及“反勒索及受賄組織法”（Racketeer Influencedand Corrupt Organization Act），在美國加州北部聯邦法庭提起民事訴訟申請，狀告代工廠聯華電子（UMC）和福建晉華盜竊其商業機密等不當行為。此案立即引起業界廣泛關注。ICInsights總裁兼執行長BillMcClean在接受媒體采訪時表示：“我不知道他們要如何在不碰觸三星、海力士和美光所擁有的專利下生產記憶體片。”臺灣南亞科總經理李培瑛也認為，中國企業若沒拿到技術授權，很難做出有競爭力的產品。
這或許就是在英特爾剛剛宣布未來將結束與美光合作關系之后，就有人猜測英特爾將與紫光在3DNAND上展開合作的原因。業界普遍對中國企業能自主開發（且不違反專利）存儲芯片沒有信心。
此前，英特爾與紫光集團在通信芯片上已有合作，似乎并不排除兩家公司將合作進一步擴展的可能性，但沒有進一步印證相關猜測的消息傳出。而就目前情況來看，紫光在存儲芯片上的發展應是立足自主研發為主。相關消息顯示，在3DNAND閃存方面，長江存儲已經研發出了32層64G的完全自主知識產權的3DNAND芯片，2018年將可實現量產。在DRAM方面，紫光國芯，前身是成立于2001年的晶源電子，是國內壓電晶體元器件領域的領軍企業，2015年紫光集團成為紫光國芯的控股股東后，將由原奇夢達科技（西安）有限公司改制重建基礎上發展起來的西安紫光國芯半導體有限公司置入其中。原奇夢達科技（西安）有限公司是歐洲存儲器公司奇夢達（后被收購）在中國設立的設計中心，具有存儲器芯片的開發設計能力。目前其在DRAM存儲器芯片方面已經形成較為完整的系列，產品接口覆蓋SDR、DDR、DDR2和DDR3DRAM，并開發出相關的內存模組產品。此前，紫光國芯面臨的最大挑戰是缺少晶圓廠的支持。隨著紫光集團大力布局存儲芯片制造基地，已經形成相對完整的產業鏈，立足自主開發存儲器并非不可能。
10年1000億美元的投資多嗎？
資金問題是外界質疑紫光存儲器事業的另一重點。長江存儲總投資超過240億美元（預計最終全部投資280億美元），四川成都天府新區紫光IC國際城項目總投資超過2000億元，南京項目總投資300億美元。也就是說，紫光陸續規劃在武漢、成都、南京的投資近1000億美元。
對此，趙偉國在接受媒體采訪時指出：“之所以規劃了10年1000億美元的投資，是因為這個行業具有以下特點：資本密集、人才密集、技術密集、全球競爭，芯片制造不僅是高端制造，而且是尖端制造。10年1000億美元的投資，平均每年也就是100億美元，英特爾、臺積電、三星每年在芯片制造上的資本開支，每家都超過了100億美元。因此達不到每年100億美元的投資規模，根本就進入不了全球芯片制造的第一集團。”
然而，如此海量的資金，紫光又將如何籌措呢？除了國家集成電路產業投資基金和國開行、中國進出口銀行等金融機構的支持外，紫光也在多方籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯合投資，在資本層面合作等。此外，趙偉國還提出了設立“中國集成電路股份有限公司”的設想。研究三星的發展可以發現，三星是一個科技資本財團，芯片業務只是三星的一部分業務，三星的金融和其他實業為芯片產業的發展，提供了巨額資金。紫光要借鑒三星的發展，成為一個以芯片和云網為主導業務的綜合性科技財團，這樣紫光才有可能完成振興中國集成電路產業的大業。
“板凳要坐十年冷”的心理準備
紫光存儲事業未來面臨最大的挑戰是“市場關”。存儲器是一個高投入、高風險、高壁壘的戰場，當年三星為了發展內存芯片事業連續忍受13年的虧損，才最終實現盈利。這意味著，紫光發展存儲事業的初期也很有可能面臨一段長時期的虧損局面。
從當前市場競爭態勢來看，東芝與西部數據在2017年經歷了長時間的法律訴訟與合資爭議之后，已于2017年12月13日達成和解，協議包括雙方延展合資關系至2029年，并確保西部數據在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部數據可以繼續參與96層以后3DNANDFlash的競爭。東芝隨即在12月21日宣布Fab7的興建計劃。集邦咨詢半導體研究中心指出，隨著東芝、三星、英特爾、長江存儲等都將擴增NANDFlash產能，對NAND閃存產業的影響將在2019年轉趨明顯，整體產業可望呈現供過于求的狀況。
集邦咨詢半導體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND閃存領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發廠商。由于長江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層，才有機會進軍SSD市場，但此市場技術競爭相當激烈，短期會難以在成本上取得優勢。
可見，量產初期的市場挑戰將是紫光在存儲器上的最大挑戰。在加快技術開發的同時，只有拿出足夠的耐心與堅持。這方面，趙偉國在有著清醒的認識。“目前在主流存儲芯片產品領域，中國完全是空白，在長江存儲項目之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠，我想有五年的時間，我們可以站穩腳跟，再有五年，應該有相當的成就，所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰略耐力。”趙偉國說。（記者 陳炳欣）
轉自：中國電子報
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