14nm量產在即，中芯國際再上臺階

　　中芯國際發布2018年第四季度財報，銷售額7.876億美元，受半導體市場轉冷影響，比第三季度略有下降。不過，中芯國際在先進工藝開發方面取得突破性進展，第一代FinFET 14nm工藝進入客戶驗證階段，或將于今年6月量產。同時，中芯國際還首次透露12nm等更先進工藝的研發也在全面進行中。14nm及12nm工藝的進展使中芯國際有望縮小與臺積電、三星等一線晶圓代工廠商在先進工藝上的差距。

　　14nm量產進度提前

　　近日，中芯國際公布截至2018年12月31日止三個月未經審核業績，重點披露了中芯國際在先進工藝開發方面取得的成果。根據中芯國際聯席首席執行官梁孟松的介紹，目前中芯國際第一代FinFET 14nm技術已進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率進一步提升。

　　對此，海通電子在研究報告中指出，相比28nm HKC+，14nm FinFET工藝速度增加60%，功耗降低70%，面積減少50%。在2018年8月中芯國際首次宣布14nm FinFET工藝進展后，公司原計劃2019年上半年風險試產，2019年下半年貢獻營收。我們認為公司在此工藝節點上的研發進度加快了0.5~1年時間，是公司技術路線圖的重要跨越。

　　中芯國際還首次透露正在研發12nm等更先進工藝。梁孟松表示，中芯國際提供的第一代FinFET還包括12nm，相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%。目前中芯國際正在就12nm與同一批14nm客戶進行合作。趙海軍表示則表示，目前中芯國際仍專注于14nm和12nm量產，在此之后將盡力滿足客戶的需求，向更先進節點前進。

　　去年年中，中芯國際向荷蘭ASML（阿斯麥）訂購了一臺單價達1.2億美元的EUV極紫外光刻機，預計將于今年年初交付。該設備可用于7nm工藝的制造與開發。

　　技術水平進入第二陣營

　　量產14nm，中芯國際將在國際上處于什么樣的水平？目前全球已量產的最先進工藝是7nm。其中，臺積電量產7nm的時間約為2018年第二季度，但臺積電只在少數關鍵工藝層使用EUV極紫外光刻技術，主體仍采用第一代DUV（深紫外）工藝。采用EUV的第二代7nm最快在今年3月量產。三星則在2018年下半年小規模量產了基于EUV技術的7nm工藝，預計今年會推動擴大量產規模。

　　盡管目前最先進的工藝已推進到7nm，但主流芯片卻并不是全部采用7nm的工藝制造，14nm工藝仍然具有廣大的用戶群。另外，目前也僅有臺積電和三星擁有7nm工藝，中芯國際的14nm工藝并不落后。

　　至于具備14nm工藝的晶圓代工廠商，除臺積電與三星外，還有格羅方德與聯電兩家公司。目前全球半導體晶圓代工市場市場占有率排名，臺積電居首，三星居次，其后是格羅方德與聯電。2018年格羅方德宣布，在未來一段時間里將專注射頻、嵌入式存儲器、低功耗定制產品在14nm、12nm FinFET工藝改進。此外，格羅方德還計劃把重點放在22DFX和12FDX工藝上，以迎合低功耗、低成本以及高性能的RF/模擬/混合信號設計。聯電同樣宣布了放棄對更先進工藝的追蹤，目前其最先進的工藝為2017年實現量產的14nm。因此，隨著中芯國際量產14nm，在先進工藝技術水平上，將進入二線陣營。

　　國信證券在一份研報中指出，先進工藝開發難度加大，中芯國際這樣的追趕者機會顯現。一方面，先進工藝的IC設計費用越來越高，代際設計費用增速也越來越高，7nm芯片設計成本超過3億美元。另一方面，投資先進工藝的邊際效果下降，使得格羅方德、聯電放棄7nm等先進工藝。從這兩個角度看摩爾定律不再有效，大廠先進工藝研發速度放緩，給中芯國際這樣的追隨者留下足夠的追趕時間。

　　中芯國際14nm量產還有一項重要意義就是有望超前臺積電南京廠的16nm工藝。不過，臺積電在中國大陸的工藝卡位在16納米。聯電轉投資的廈門聯芯最新工藝為28nm。格羅方德在成都規劃建設的是22nm FD-SOI工藝生產線，且需較長時間方能看到成果。那么，中芯國際的14nm/12nm如果能夠較快實現量產，將成為中國大陸最先進的工藝生產線，從而擁有了一定的競爭優勢。

　　擴大營收占比仍存挑戰

　　中芯國際能否將這樣的競爭優勢轉為市場增長點呢？國君電子發布報告表示，14nm是中芯國際在FinFET工藝上的重要入場券，預示后續研發會進展順利。同時在盈利能力、客戶結構、產能規劃等諸多角度，14nm/12nm都有超市場預期的可能。臺積電的16nm是在2015年下半年導入的，12nm在2018年導入，因此還處于設備折舊周期以內，并不存在顯著降價的趨勢，目前14nm一片晶圓的價格約為6000美元，預計2019年將小幅下滑（但下滑程度將顯著低于28nm技術代）。如果中芯國際14nm及時量產，仍能為公司盈利做出較大貢獻。

　　不過，中芯國際財報顯示，按照工藝劃分的收入占比：150/180nm為38.7％、55/65nm為23.0％、40/45nm為20.3％、110/130nm為7.3％、28nm為5.4％、250/350nm為3.6％、90nm為1.7％。可見，目前中芯國際收入的主要來源仍為150/180nm、40/45nm和55/65nm工藝段，28nm只占四季度收入的5.4%，且受市場競爭激烈所致，2018年第四季度占比有所下滑。因此，盡快盈得客戶認可，加快28nm及未來的14nm先進工藝收入占比，對于中芯國際來說，仍然是一個重要挑戰。

　　對此，半導體專家莫大康就指出，臺積電14nm技術更成熟，也得到更多用戶的認可，中芯國際即使實現量產，與之競爭也存在很大挑戰。中國發展半導體產業，應當兩頭兼顧，一方面發展先進工藝技術，比如14nm晶圓制造，同時也應保盈利求生存，在傳統工藝、特色工藝相對優勢領域求得突破。（記者 陳炳欣）

　　轉自：中國電子報

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