近日，兩大存儲品類仿佛都進入復蘇期。研究機構TrendForce（集邦咨詢）最新數據顯示，2025年第二季度DRAM（動態隨機存取存儲器）的整體營收為316.3億美元，季增17.1%，而NAND（閃存芯片）的整體出貨量持續增長，前五大品牌廠合計營收季增22%，至146.7億美元。但值得注意的是，頭部廠商的產能調控制造了短期供需錯配，營造出了產品出貨量和價格大幅提升的積極氛圍，而需求端的真實現象是AI與非AI的產品需求差異巨大，存儲市場尚未真正進入新一輪復蘇周期，而是陷入了“頭部企業調控影響供需、技術分化加劇失衡、周期規律紊亂”的復雜困境。
供需錯配導致復蘇幻象
存儲市場當前的“復蘇”態勢，很大程度上是三星、SK海力士、美光等頭部企業產能調整與技術路線選擇共同作用的結果，而非真實需求全面拉動。
DRAM方面，TrendForce數據顯示，2025年第二季度DRAM產業因一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價上漲、出貨量顯著增長，加上HBM（高帶寬內存）出貨規模擴張，平均銷售單價（ASP）隨PC OEM（電腦生產代工廠）、智能手機、CSP（云服務供應商）等采購方的購買熱情增溫而回升，加速制造商去庫存化，但這種價格上漲存在明顯的技術分化驅動特征，頭部原廠將產能大量轉向HBM、DDR5等高階產品，并宣布PC/Server用DDR4進入生命周期末期（EOL），直接引發下游對DDR4的急性備貨，預計2025年第三季度Consumer DDR4 DRAM合約價到季增高達85%~90%，但這種臨時性調整造成的供給空窗期并非存儲市場復蘇的信號。
NAND市場同樣充滿不確定性。盡管第二季度NAND合約價季增5%~10%，但細分市場表現嚴重分化。受惠于NVIDIA Blackwell平臺出貨的Enterprise SSD價格上漲10%，而智能手機用eMMC/UFS產品漲幅不足5%，呈現“旺季不旺”的反常態勢。這種分化源于制造商的利潤導向策略。據悉，三星與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業資金更多集中于DRAM和封裝領域，導致對NAND的投資負擔加重。
三星在韓國平澤P1廠的第9代NAND轉換投資已傳出延后消息，原計劃最快在2025年第二季度啟動，但目前尚未落實。Digitimes9月1日發布消息稱，三星原計劃在西安X2產線率先導入第9代NAND的混合鍵合技術，但近期已決定取消，并計劃從400層以上的第10代NAND起正式導入。
不過，第十代NAND的量產投資預計最快也要到2026年中期；SK海力士同樣將大部分資金集中于最先進的DRAM和HBM領域。由于其在第10代NAND的開發進度落后于三星，短期內也難以期待新的投資。SK海力士在2025年第二季度財報會議中表示，NAND投資將依據下游需求情況，維持審慎步調，并以提升獲利性為核心目標；西部數據和美光將NAND產量削減15%，并優先保障高毛利的企業級產品供應。
需求端方面，AI與非AI產品需求差異巨大，增加了市場供需走向的不確定性。AI服務器和數據中心建設確實帶動HBM、企業級SSD等高端技術產品需求增長，這是源于AI大模型訓練和推理對存儲高帶寬、低延遲、大容量的嚴苛要求。以HBM為例，2025年需求持續井噴，“存儲三巨頭”均宣布推動HBM增產，SK海力士預測AI服務器出貨量增長將帶動HBM需求持續攀升。專家預測，2025年HBM出貨量同比增長65%，并同步拉動DDR5相關產品需求。
反觀非AI產品需求，尤其是消費電子市場，對中低端存儲的需求卻持續低迷。IDC數據顯示，全球智能手機出貨量預計在2025年同比增長僅為1%，增速較第一季度的1.5%進一步放緩，筆記本電腦出貨量亦呈現下滑態勢。美光首席財務官Mark Murphy在2025財年第二財季財報電話會議中指出，除了HBM、DDR5等AI產品線外，價格較低的消費級DRAM在產品結構中仍占有相當比例，加上NAND Flash閃存芯片需求低迷，產能利用率不佳，預計第三財季毛利率將進一步下滑。這種非AI需求的疲軟與AI產品的火熱形成鮮明反差，成為供需結構扭曲的核心誘因之一。
值得注意的是，當前的漲價幻象，正在引發中小廠商的誤判。存儲芯片設計公司群聯電子、慧榮科技在第二季度加大了對消費級NAND控制器的備貨，卻因下游終端需求不足導致庫存積壓，群聯電子第二季度庫存周轉天數從45天延長至62天，不得不下調第三季度營收預期。
TrendForce預測，2026年第一季度存儲芯片價格將進入下跌周期，其中NAND因消費端需求未達預期，價格環比跌幅可能達10%~15%，這表明當前漲價缺乏可持續需求支撐。
傳統周期性規律生變
當前，存儲市場的傳統周期性特征在多種因素的疊加下越發紊亂。過去三十年，存儲芯片市場遵循著“產能過剩-價格下跌-廠商減產-供需平衡-價格回升-產能擴張-再次過剩”的周期性規律，一個完整周期通常為3-4年。但從2023年至今，這一規律被徹底打破。本應在2024年進入下行周期的存儲市場，因AI需求爆發和頭部廠商控產，價格在2025年意外反彈；而傳統消費級市場的低迷，又讓周期復蘇的“普適性”消失。
從供需層面看，周期的“驅動邏輯”從“需求主導”轉向“供給調控主導”。2025年全球DRAM位元需求同比增長13%，但產能增長達16%，且產能集中投向HBM、DDR5等高端產品，中低端產品產能收縮15%，這種“結構性產能過剩與短缺并存”的狀態，讓供需缺口收窄節奏充滿不確定性，為2026年價格回調埋下隱患，無法再用傳統周期理論進行預測回調幅度。
更嚴重的是，周期的“幅度波動”變得異常劇烈，市場穩定性大幅下降。在傳統周期中DRAM價格的最大漲幅通常不超過50%，最大跌幅不超過40%，且價格波動呈現出“漸進式”特征；但此次周期中，價格波動的幅度和速度都遠超歷史水平。以DDR5-4800內存顆粒為例，2024年第四季度價格還處于每顆1.2美元的谷底，2025年第二季度就飆升至每顆2.1美元，短短6個月內漲幅達75%，遠超傳統周期的漲幅上限；而HBM價格的波動更為極端，2024年第三季度HBM2e的價格為25美元/GB，2025年第二季度已漲至45美元/GB，漲幅達80%，這種“過山車式”的價格波動，不僅讓下游模組廠商、終端設備廠商面臨成本壓力，也加劇了整個產業鏈的經營風險。
專家表示，存儲市場正處于周期邏輯重構的關鍵階段，短期來看，原廠調控與補庫行為或維持價格高位至2025年年底；中期而言，2026年第一季度大概率成為本輪上行周期的終結點，消費電子需求疲軟與中低端產能釋放將推動市場進入調整階段。(記者 許子皓)
轉自：中國電子報
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