11月9日，英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線在珠海正式通線投產。
氮化鎵又被稱作第三代半導體，是當今世界上最具潛力的半導體材料之一，被預言將會在不久的未來改變世界。硅基氮化鎵產業早在20年前就開始在歐洲和美國等地發展，在中國才剛起步。英諾賽科（珠海）科技有限公司擁有世界領先的8英寸硅基氮化鎵外延技術，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰，將碎片率大幅降至1%以下。經過兩年的努力，該公司已建成中國首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線，主要產品包括100V~650V氮化鎵功率器件，設計及性能均達到國際先進水平，將廣泛應用于電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業等領域。
“建設一個自主可控、安全的生產體系，這是半導體行業、信息產業的責任。企業只有建立起自己的研發體系、人才體系，這樣才能不斷進步，不斷領先。”中國半導體行業協會執行副理事長兼秘書長徐小田表示。多名業內專家在生產線投產后舉行的研討會上談到，氮化鎵產業已經到了爆發前夜，在8英寸硅基氮化鎵晶圓產業化上取得重大突破，為今后該領域的發展奠定了良好基礎，必將為中國在半導體領域實現“換道超車”作出重要貢獻。珠海高新區相關負責人高度贊揚了英諾賽科公司一年來的高速成長及取得的卓越成績，并勉勵公司利用國際領先的核心技術、抓住機遇、搶占先機，解決我國半導體產業的技術瓶頸，帶動上下游產業發展，助力我國半導體產業和先進制造業的崛起。（崔文）
轉自：中國工業報
版權及免責聲明：凡本網所屬版權作品，轉載時須獲得授權并注明來源“中國產業經濟信息網”，違者本網將保留追究其相關法律責任的權力。凡轉載文章，不代表本網觀點和立場。版權事宜請聯系：010-65363056。
延伸閱讀
習近平出席亞太經合組織第二十五次領導人非正式會議發表重要講話
