打造半導體特色工藝基地 中芯紹興項目開工

　　5月18日，距離中芯國際與紹興市相關方面簽署合資協議僅79天，中芯集成電路制造（紹興）項目舉行開工奠基儀式。據悉，該項目將聚焦于微機電（MEMS）和功率器件等集成電路特色工藝制造，包括晶圓與模組代工，打造綜合性的特色工藝基地。該項目的快速啟動，顯示出中芯國際在加速推進先進工藝的同時，也在加強特色工藝部分的建設。

（圖片來源 互聯網）

　　將打造特色工藝基地

　　資料顯示，中芯集成電路制造（紹興）有限公司由中芯國際、紹興市政府、盛洋集團共同出資設立。合資項目總投資58.8億元，將引進一條8英寸生產線，面向微機電（MEMS）和功率器件集成電路領域，專注于晶圓和模組代工，持續投入研發并致力于產業化。

　　從該項目的推進速度可以看出，中芯國際對其十分重視——合資雙方在簽署協議后僅79天就啟動了開工奠基儀式。根據中芯國際透露出來的信息，項目建設將于2019年3月完成廠房結構封頂，9月設備搬入，2020年1月正式投產。

　　中芯國際聯席CEO趙海軍在奠基儀式上表示，中芯國際對這個項目充滿信心，將盡力擴大市場份額、不斷完善產品鏈，快速占據國內市場領導地位，使中芯紹興與中芯國際實現產業鏈上的差異化互補和協同發展，打造一個國內領先的特色工藝半導體企業。

　　隨著智能化社會的到來，物聯網、車載、工控等應用領域市場蓬勃發展，基于特色工藝的MEMS與功率器件是智能化的核心之一，而要想實現MEMS與功率器件的開發與制造，成熟特色工藝的發展是必不可少的。日前在說明會上，趙海軍也提到，中國市場面臨巨大成長機遇，尤其消費電子與物聯網普及應用，中芯要占好區位優勢。

　　堅持“兩條腿走路”策略

　　中芯國際一直在堅持“先進工藝與成熟工藝兩條腿走路”的發展策略。在先進工藝方面，日前中芯國際表示將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝。其實，成熟特色工藝也一直在中芯國際的發展中占有重要地位，在公司營收及獲利上均占據半壁江山，滿足客戶的大量需求。

　　特別是隨著物聯網的興起，特色工藝的重要性正日漸凸顯。物聯網市場是半導體行業的重點應用領域，不需要依賴先進工藝制程，其產品設計和制程模式在成熟工藝下將非常匹配中國國內企業。對于中國半導體公司來說，由于與國際先進水平存在著1.5到2代的代差，因此在工藝平臺開發之初，就不能把力量僅僅集中在標準工藝上，同時也要關注特色工藝的開發。對于特色工藝需求增溫，不單是中芯國際，國內其他半導體制造公司也都非常重視特色工藝領域。中國企業應對市場的策略是專注先進工藝開發，同時在特色工藝上深耕細作，確保在業界的競爭力。

　　這些年以來，中芯國際在特色工藝上也有很多突破。資料顯示，中芯國際的IGBT平臺從2015年開始建立，著眼于最新一代場截止型（Field Stop）IGBT結構，采用業界最先進及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等，已完成整套深溝槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+場截止（Field-Stop）技術工藝的自主研發，并相應推出600V～1200V等器件工藝，技術參數可達到業界領先水平。

　　在MEMS方面，中芯國際的MEMS方案主要集中在兩大主流應用領域，一是MEMS麥克風，是開放式結構，目前已經進入量產；二是慣性傳感器，是封閉式結構，于2016年第二季度進入量產。

　　競爭壓力同樣巨大

　　盡管中國代工企業在特色工藝方面取得了很快的發展，可是面臨的競爭壓力同樣巨大。與國內廠商在14/16納米、28納米等先進工藝節點上面臨臺積電南京廠與廈門聯芯的競爭相似，國內廠商在物聯網等特色工藝上面臨的國際企業競爭也越來越大。

　　格芯在成都投資晶圓生產線，第一期建設CMOS工藝產線，主要為180納米和130納米，引自新加坡技術，產能每月2萬片，預計2018年年底投產；第二期22納米FD-SOI技術，引自德國技術，產能每月6.5萬片，2019年下半年投產。一期二期完成后，總產能將達到8.5萬片/月。FD-SOI技術具有低功耗、低成本優勢，對國內特色工藝市場需求有著極大吸引力。其應用行業主要集中在移動、物聯網（如NB-IoT、GPS、NFC等）、射頻以及汽車電子（如微控制器、傳感器及ADAS系統）等方面。

　　此外，三星電子日前也宣布開始對外提供成熟的8英寸晶圓代工技術解決方案，為中小型企業提供多項目晶圓服務（MPW）。解決方案主要在eFlash、顯示器驅動IC、指紋傳感器、RF/IoT等領域，并且在成熟的180nm、130nm、90nm技術之外，還包括了 65nm的eFlash以及70nm的顯示器驅動IC的解決方案，其目標同樣是在積極爭搶中國特色工藝代工市場。（記者 陳炳欣）

　　轉自：中國電子報

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