碳化硅產業加速重構 天域半導體卡位全球競爭

　　伴隨著全球能源轉型的加速，以碳化硅（SiC）為核心的第三代半導體產業迎來了史無前例的發展機遇。在這個萬億級的藍海市場中，整個產業正呈現出明確的進化趨勢，而以天域半導體（02658.HK）為代表的中國企業，正成為重塑全球功率半導體格局的關鍵力量。

　　終端需求爆發：新能源與800V平臺的雙輪驅動

　　當前，驅動SiC產業高速增長的核心動力源于下游終端的革命性升級。在新能源汽車領域，800V高壓快充平臺已成為各大車企競逐的焦點。與傳統的硅基IGBT相比，SiC器件在相同電池電量下能有效延長約6%的續航里程，并大幅降低系統體積與散熱需求。

　　與此同時，光伏發電、智能電網、大型儲能以及AI數據中心等高功率場景，對高壓、高效能功率器件的需求也呈指數級上升。相關機構測算顯示，2023年至2028年期間，中國碳化硅功率半導體器件行業的市場規模預計將保持54.8%的復合年增長率高速狂飆。這一明確的產業趨勢，為天域半導體等上游核心材料供應商提供了極為廣闊的增長空間。

　　行業拐點：“奔8”浪潮下的規模效應紅利

　　盡管SiC性能優異，但高昂的制造成本一直是限制其向下沉市場全面普及的“攔路虎”。因此，產業界正加速推動晶圓尺寸從目前主流的6英寸向8英寸過渡。

　　“8英寸化”是整個SiC行業當下最核心的技術趨勢。與6英寸相比，8英寸晶圓的可用面積更大，單片可切割的芯片數量顯著增加。業內預計，8英寸量產后能推動器件最終成本降低30%乃至更高。在這一歷史性轉型期，天域半導體展現出了敏銳的行業前瞻性。公司不僅是中國首批具備量產8英寸碳化硅外延片能力的企業之一，還持續加大對大尺寸外延生長的研發投入。率先跨越8英寸量產門檻，意味著企業將充分享受成本下降帶來的市場滲透率紅利。

　　在全球半導體博弈加劇的時代背景下，第三代半導體產業鏈的自主可控已上升至國家戰略高度。過去，高端SiC外延片長期依賴進口；而今天，以天域半導體為首的國產力量已經實現了從研發到量產的全面突破，其技術參數和客戶良率均已達到國際領先水平。

　　整體而言，中國SiC產業正處于從國產替代向全球輸出進階的黃金拐點。天域半導體踩準了行業擴產降本與需求爆發的歷史進程，不僅是中國科技自立自強的縮影，更是引領全球綠色能源革命的硬核底座。

　　轉自：北青網

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