與半導體國產化的雙重浪潮下，碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，正處于從技術突破向規模化制造演進的關鍵周期。作為中國領先的碳化硅外延片制造商之一，天域半導體（02658.HK）憑借其在8英寸產能的前瞻性布局、持續的高強度研發投入以及不斷深化的全球化戰略，正成為重塑全球功率半導體格局的關鍵力量。
8月27日晚，天域半導體披露了2026年中期業績報告。天域半導體展現出了極強的經營韌性與穿越周期的成長潛力，其多項核心業務指標均釋放出積極的向好信號，進一步鞏固了其在全球碳化硅外延賽道的龍頭壁壘。
營收穩健增長 海外業務迎來爆發增長
盡管行業面臨階段性的供需再平衡與激烈的市場競爭，天域半導體依然交出了一份營收穩健增長的答卷。報告期內，公司實現營收3.48億元，同比增加4.3%，這一頂線增長的核心驅動力，主要來自于8英寸外延片產能的有效提升以及下游市場需求的持續增強，進而帶動了產品銷量的同比增長。
從細分業務來看，天域半導體的業務結構正趨于多元化與精細化。期內，公司銷售自制碳化硅外延片的收入達到了人民幣2.95億元。此外，公司依托自身在研發及量產方面的強大能力與專長，積極拓展碳化硅外延代工服務、外延片清洗及相關檢測服務等增值業務。這項增值業務收入實現了29.4%的同比增長，為公司開辟了穩定的第二增長曲線。
更為亮眼的是，天域半導體在海外市場的拓展取得了突破性的歷史成績。2026年上半年，公司產生自中國內地以外國家及地區的收入達到了人民幣6250萬元，同比實現了4906%的爆發式增長。這一超高速增長主要得益于全球AI算力及數據中心市場的蓬勃發展。面對新興市場的巨大機遇，天域半導體持續積極拓展于韓國、日本及歐洲等國家和地區的海外銷售與營銷網絡，成功將高質量的本土制造推向世界舞臺。
搶占“8英寸”戰略高地 產能規模效應全面顯現
在碳化硅產業的發展邏輯中，高昂的制造成本一直是限制其全面普及的關鍵瓶頸，因此，推動晶圓尺寸從6英寸向8英寸過渡，成為了當下全行業最核心的技術趨勢。與6英寸相比，8英寸晶圓的可用面積更大，邊緣損失占比降低，單片晶圓有效面積利用率更高，單片可切割的芯片數量顯著增加。業內預計，8英寸量產后能夠推動器件最終成本降低30%乃至更高。
在這一場歷史性的尺寸升級戰中，天域半導體展現出了敏銳的行業前瞻性，較早地布局了8英寸研發和產線建設，從而在這一輪產業升級中確立了先發優勢。2025年12月，公司位于東莞松山湖生態園的新生產基地正式通線，使公司成為中國同時具備6英寸與8英寸外延片大規模產能的主要制造商之一。
隨著新產能的順利投產，天域半導體的碳化硅外延片年產能將全面提升至80萬片。相關資料顯示，新基地新增的碳化硅外延片產能約為38萬片/年，其中8英寸的產能規劃高達32萬片。這種從產能擴張向規模效應的實質性跨越，不僅使得公司能夠通過更大規模的連續生產提高設備利用效率，還為下游客戶提供了更加穩定可靠的供貨保障。與此同時，公司在供應鏈自主可控方面也取得了卓越成效，從原材料、生產設備到工藝研發和質量管控，核心供應鏈的國產化率已經達到99.8%，極大地增強了生產體系的穩定性與成本控制能力。
技術底座堅實 高研發投入筑高行業護城河
硬核的技術實力是半導體企業安身立命的根本。作為國內首家專注碳化硅外延研發生產的企業，天域半導體打破了海外的長期壟斷格局。公司聚焦主業構建長期核心競爭力，不僅掌握了600V至30000V全電壓等級產品的量產工藝，還在外延零位錯、低缺陷密度、高均勻性等核心技術上實現了全面突破，產品性能直接對標國際一線水平。
為了維持其技術領先地位，天域半導體在研發端的投入毫不吝嗇。報告期內，天域半導體的研發開支約3000萬元，同比增加10.7%，研發費用占營收達8.6%。這些資金主要用于新產品的測試及驗證、研發及測試設備的升級，以及持續提升8英寸產品及產能過程中的核心人才儲備。在行業標準的制定上，天域半導體同樣具備極高的行業話語權，公司牽頭制定了碳化硅光譜學的首個國家標準，并累計主導及參與了1項國際標準、13項國家標準以及12項團體標準。
在這片終端需求持續爆發與萬億級增量的市場中，天域半導體憑借率先取得的IATF16949汽車行業質量管理體系認證，已經順利切入高端新能源汽車供應鏈體系。整體而言，天域半導體集齊了技術、產能、資質、客戶四大核心壁壘，基本面穩健扎實。隨著 8 英寸產能逐步釋放、海外市場持續拓展以及下游需求回暖，公司有望充分受益于行業規模擴張與國產替代的雙重紅利，在全球碳化硅產業格局中占據更重要的位置，彰顯其作為核心戰略賽道龍頭的長期投資價值。
轉自：中華網
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