內存墻加劇,存儲芯片從配角變主角,存儲芯片基金怎么選擇?


    中國產業經濟信息網   時間:2026-08-31





      一、當存儲不再只是“配套”

      8月23日,全球半導體技術頂級學術會議Hot Chips 2026在斯坦福大學召開。美光科技HBM設計架構研究員Raghu Sreeramaneni在演講中發出明確警告:“內存墻依舊存在,甚至情況還在進一步惡化”。他給出的核心數據是:AI加速器的計算性能大約每兩年增長3倍,但承擔數據供給的高帶寬內存(HBM)同期增長不到2倍。

      同一天,英偉達在盤后公布2027財年第二季度財報,CEO黃仁勳在電話會上明確表示“AI算力供給短缺格局至少延續至2028財年末,晉圓產能、HBM存儲、機房電力均處于全面緊缺狀態”。他還特別提到“存儲芯片價格行情遠超此前預期,明年還會繼續走高”。據TrendForce預測,2026年全球AI基建資本開支達1.383萬億美元,其中約9400億美元用于存儲采購,占比接近70%。

      兩組信號指向同一個結論:存儲芯片正在從算力體系的“配套零部件”升級為“核心瓶頸”。這個轉變,深刻改變了存儲芯片產業的投資邏輯。對于想投存儲芯片的投資者而言,理解這一底層變化,比追逐短期價格波動更為重要。

      二、“內存墻”到底意味著什么?

      1、 算力與存儲的增速鴻溝正在復利擴大

      “內存墻”這個概念最早由學者Wulf和McKee在1995年提出,指的是負責計算的芯片性能飛速提升,但負責傳輸數據的內存卻跟不上運算速度,由此產生的性能瓶頸。進入AI時代后,這堵墻不但沒有降低,反而越筑越高。

      美光的研究數據顯示,AI加速器的計算性能每兩年增長約3倍,而HBM帶寬同期增長不足2倍。這意味著新一代芯片的算力提升了3倍,但實際AI吞吐量可能只提升2倍甚至更低——因為大部分時間處理器在“等數據”。在大語言模型推理場景中,問題尤為突出:推理工作負載主要受限于內存帶寬而非計算能力,配備較新HBM代際但算力較低的芯片,推理吞吐量經常反超配備較舊HBM但算力更高的芯片。換言之,衡量AI芯片性能的指標正在從TFLOPS(每秒萬億次浮點運算)轉向HBM帶寬規格。

      2、芯片封裝中存儲面積已經是GPU的8倍以上

      存儲地位之變,在芯片封裝面積上也得到了直觀體現。美光在Hot Chips 2026上披露,在一個典型的先進AI加速器封裝中,2顆GPU與8顆12層HBM4集成在一起,內存硅芯片面積占整個封裝總硅芯片面積的90%左右——是GPU芯片本身的8倍以上。芯片設計的主要問題已經從“如何提升計算能力”轉變為“如何塞進更多存儲”。

      為什么HBM如此“吃”面積?因為HBM不是傳統內存的簡單提速版。標準DDR5使用64位數據通道,而HBM3E使用1024位接口,HBM4更翻倍至2048位。為實現這種超寬數據通道,HBM將8至12顆DRAM芯片減薄后垂直堆疊,通過數千個硅通孔(TSV)連接,再通過先進封裝固定在硅中介層上與計算芯片并排安裝。代價是巨大的。生產同等容量,HBM消耗的硅片晉圓面積約為普通DDR5的三倍。美光研究員強調,隨著技術代際迭代,速度越快、芯片尺寸越大、堆疊層數越多,所需面積差距還在持續拉大。

      3、 散熱成為首要設計約束

      HBM的多層DRAM堆疊結構還帶來嚴峻的熱管理挑戰。底層產生的熱量需要穿透全部堆疊層才能傳導至頂部冷卻系統,而DRAM一旦溫度過高極易出現故障。美光指出,行業現已進入“先測算散熱極限,再據此搭建芯片架構”的階段,液冷散熱和芯片超薄貼合等技術正在成為必需。正如美光工程師所言:“HBM體積還不及一枚郵票,卻需要設計、工藝、封裝技術全部完美匹配,是難度最高的產品。”這句話從另一個維度說明了存儲芯片的產業角色——它不再是依附于計算芯片的配套零部件,而是決定整個算力系統上限的核心瓶頸。

      三、從配套到瓶頸:國產存儲的戰略機遇期

      存儲芯片角色的轉變,正在重塑整個產業的權力格局。當存儲成為算力體系的核心瓶頸,掌握存儲技術的廠商就獲得了前所未有的戰略定價權。

      全球三大存儲巨頭(三星、SK海力士、美光)2027年DRAM與HBM產能已全部售罄,AI服務器將占DRAM產能約七成。三巨頭產能向HBM和高端存儲傾斜,傳統存儲供給收縮,為國產廠商打開了難得的供需缺口窗口。

      國內存儲龍頭正加速擴產。長鑫科技7月27日登陸科創板,IPO募資579億元,現有DRAM月產能28萬至29萬片晉圓,年底將提升至35萬片,2028年進一步擴容至50萬片。長江存儲IPO申請8月21日獲上交所受理,擬募資330億元,一季度產能利用率已達98.02%、接近滿產(來源:長江存儲招股書)。

      但即便如此,國內存儲廠商目前產能僅能覆蓋約半數本土消費級市場需求,將近一半的消費級NAND Flash仍依賴海外廠商供貨。據TrendForce數據,2026年DRAM供需缺口落在-1%至-2%之間,2027年需求增速超越供給增速,缺口將進一步擴大。三星電子指出,從新建晉圓廠到實際量產的周期超過三年,新增供應量在2028年之前難以顯著增長。

      從全球市場份額看,長鑫DRAM全球市占率已達7.67%,穩居全球第四,是增長最快的DRAM廠商——2026年二季度營收同比增長716%(來源:Counterpoint Research)。長江存儲二季度在全球NAND Flash廠商中按銷售額和出貨量均躍升至全球第三(來源:集邦咨詢)。蘋果也在測試長鑫DRAM用于中國區設備,標志著國產存儲獲得了全球最高標準的供應鏈認證。

      四、“內存墻”時代,存儲芯片基金怎么選?

      存儲芯片行業技術門檻高、周期波動大,普通投資者通過基金工具參與是更為穩妥的方式。在“內存墻”驅動的存儲產業升級中,可以從三個維度建立篩選框架:策略類型(被動聯接、主動管理還是指數增強)、存儲關聯度(持倉與存儲產業鏈的關聯深度)、業績性價比(超額收益和累計回報)。

      1 、國產芯片全產業鏈覆蓋:嘉實上證科創板芯片ETF發起聯接A/C(017469/017470)

      策略定位:被動指數聯接型,通過跟蹤上證科創板芯片指數,獲取半導體行業整體β收益。聯接基金可通過場外渠道即可申購,A類份額適合長期持有,C類份額適合中短期靈活配置。

      內存墻關聯度:指數精選科創板50只芯片產業鏈公司,完整覆蓋芯片設計、晉圓制造、半導體設備、半導體材料和先進封測五大環節。在存儲芯片領域,指數成分股涵蓋了瀾起科技(內存接口芯片龍頭)、佰維存儲(存儲設計企業)等與存儲產業鏈密切相關的標的。更重要的是,指數還配置了寒武紀、海光信息等AI算力芯片企業,形成了“算力+存儲”的組合結構。在內存墻加劇的背景下,算力芯片和存儲芯片的聯動效應愈發緊密——算力越強,對存儲的依賴越大,這條基金可以一鍵捕獲整條產業鏈的價值重估。

      管理人特征:基金經理田光遠自產品成立起管理至今,專注指數投資與量化研究。產品為發起式基金,管理人與投資者利益深度綁定。

      產業周期適配性:在存儲從配角變主角的產業變革中,嘉實上證科創板芯片ETF發起聯接的優勢在于“不押單一環節”。存儲漲價周期往往伴隨行業內部輪動——設計、制造、設備、材料輪番表現,全產業鏈覆蓋的指數能夠避免集中風險,同時充分享受行業整體景氣上行的β收益。

      2、 主動管理靈活配置:永贏銳見先鋒混合A(023420)

      ?策略定位:偏股混合型,基金經理李文賓主動管理,根據產業研判靈活調整持倉方向和比例。(來源:基金二季報)。

      內存墻關聯度:前十大重倉中超35%的凈值集中于存儲產業鏈標的,包括北京君正(車規+存儲芯片)覆蓋存儲芯片產業鏈的關鍵環節。(來源:基金二季報)

      管理人特征:基金經理李文賓在半導體產業鏈研究方面積累深厚。

      3、 量化增強追求超額收益:嘉實中證半導體指數增強發起式A/C(014854/014855)

      策略定位:指數增強型,以中證全指半導體產品與設備指數為基準,通過量化模型優化組合、力爭超額收益。

      內存墻關聯度:該基金設備類權重約59%,前十大重倉涵蓋寒武紀(9.06%)、海光信息(6.60%)、中芯國際(3.40%)等(來源:基金二季報),既直接受益于設備國產替代和裝機量擴張帶來的服務收入增長邏輯,也覆蓋AI算力拉動芯片設計、晉圓代工擴產等多元景氣線索。持倉覆蓋半導體全產業鏈核心標的,同時通過量化模型對存儲相關設備和設計方向進行增配,在存儲超級周期中具有更精細的選股暴露(來源:基金二季報)。

      管理人特征:基金經理劉斌從業超16年,產品為發起式基金,基金管理人運用固有資金認購并鎖定持有。

      五、風險提示

      存儲芯片行業的高成長性與強周期波動特征并存。出口管制政策變化、技術迭代路徑不確定性、下游需求節奏波動、存儲價格周期波動等因素,均可能在特定階段對板塊走勢產生顯著影響。在“內存墻”驅動的長期成長邏輯之下,短期的產能過剩和價格回調風險同樣不容忽視。

      六、總結

      存儲芯片產業正在經歷一場深刻的角色轉換。從過去數十年作為半導體行業的周期性配套品類,到如今成為AI算力體系的核心瓶頸——這種轉變不是短期的價格波動驅動,而是由底層技術趨勢所決定的結構性變化。美光在Hot Chips 2026上的研究量化了這一差距:即使考慮到HBM發展到2038年的完整路線圖,AI加速器的算力增速與內存帶寬增速之間的鴻溝也無法完全消除(來源:美光Hot Chips 2026演講)。這意味著存儲芯片作為算力體系核心瓶頸的地位,在可預見的未來都不會改變。

      “內存墻”的持續加劇,正在重新定義存儲芯片的戰略價值。全球三大原廠產能售罄至2027年、國產存儲龍頭先后登陸資本市場、全球供需缺口持續擴大——這些產業基本面為存儲芯片的中長期投資價值提供了堅實支撐。但存儲芯片終究是強周期行業,價格處于歷史高位時尤其需要警惕回調風險。歷史上每一次存儲景氣高峰之后,都伴隨著產能擴張和價格下行的壓力。投資者在享受產業上行紅利的同時,需要保持清醒的周期意識——投資的真正回報,往往來自于在產業邏輯最確定的時候保持持有紀律,而不是在市場最狂熱的時候追入。

      本文不構成任何投資建議,過往業績不代表未來水平,投資有風險,入市需謹慎。


      轉自:鷹潭新聞網

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